[发明专利]一种低功耗微弱信号放大整形电路有效
申请号: | 201010592148.0 | 申请日: | 2010-12-16 |
公开(公告)号: | CN102368683A | 公开(公告)日: | 2012-03-07 |
发明(设计)人: | 朱文锐;杨海钢;张丹丹;支天;程小燕 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
主分类号: | H03K5/02 | 分类号: | H03K5/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功耗 微弱 信号 放大 整形 电路 | ||
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,是一种低功耗微弱信号放大整形电路,把微弱信号如方波,正弦波等放大并整形为满幅方波的电路。
背景技术
随着集成电路制造业的迅速发展,高密度、高性能、低成本、低功耗已成为了集成电路设计发展的主体趋势。无线移动技术的逐步普及,使得低功耗这一设计需求变得尤为迫切。
毫伏及其以下量级的信号被称为微弱信号。微弱信号放大整形电路普遍应用于生物信号采集、RFID、无线电子收费、无线传感网络、物联网等系统中。例如在公路无线电子收费系统[GB/T 20851-2007]中,为了减少系统能耗,一般采用睡眠/唤醒机制。它的基本工作原理是:由基站发射唤醒载波信号,移动终端接收到载波并还原出唤醒信号,还原后的唤醒信号一般为连续的微弱方波信号,此微弱方波信号需要放大整形为满幅的方波信号后,再送入后续模块进行分析处理。
功耗是衡量微弱信号放大整形电路的一项重要指标。在微弱信号放大整形电路的很多应用场合都采用电池供电方式。为了延长电池供电时间,在保证系统性能的前提下,电路功耗要求在10uA量级或以下。
灵敏度是衡量微弱信号放大整形电路的另一个重要指标。微弱信号放大整形电路要求灵敏度适中。灵敏度太小,容易受噪声和其他干扰的影响;灵敏度太大,又达不到系统的灵敏度要求。
抗温度、电源电压和工艺角(PVT)变化能力是衡量一个电路系统是否适合大规模工业生产的一项指标。为了提高良品率和不同应用条件下的需求,电路的抗PVT特性越强越好。
微弱信号放大整形的一般实现方法是先把微弱信号放大,然后再通过施密特触发器整形为满幅数字方波。然而,传统的施密特触发器电路的翻转阈值对PVT的变化非常敏感。为了保持放大电路放大后的信号幅度覆盖翻转阈值的变化范围,前级的放大电路需要很高的放大倍数。为了达到如此高的放大倍数,放大电路需要消耗大量的电流。此外,翻转阈值的改变会导致整形后输出方波信号占空比的改变。另一方面,传统施密特触发器的功耗也对PVT的变化非常敏感。
发明内容
本发明的目的是公布一种低功耗微弱信号放大整形电路,可以将微弱方波、正弦波等信号放大并整形为满幅方波,整形的精确度高。
本发明为了实现上述目的,采用如下技术方案:
一种低功耗微弱信号放大整形电路,将微弱方波、正弦波信号放大并整形为满幅方波;其包括基准源电路、放大电路和施密特触发器整形电路;其中,基准电路包括包括二个PMOS管PMr1、PMr2,二个NMOS管NMr1、NMr2和三个电阻R1、R2、R3;放大电路包括一个放大器opa,两个电容C1、C2,两个PMOS管NMo1、NMo2级联而成的电阻结构;施密特触发器电路包括三个PMOS管PMs1、PMs2、PMs3,三个NMOS管NMs1、NMs2、NMs3、一个反相器INV和一个SR触发器;
基准源电路的PMr1管和PMr2管的源极分别接电源,PMr1管漏极分别接NMr1管漏极和NMr2管栅极;PMr1管栅极分别与PMr2管栅极、漏极及NMr2管漏极电连接;NMr2管源级经串联的电阻R1、R2、R3分别接NMr1管源极和地;NMr2管源级与电阻R1的接点与NMs2管栅极电连接;电阻R1与电阻R2的接点分别与NMr1管栅极和放大器opa正输入端电连接;
预放大电路的电容C1一端接输入信号,另一端与放大器opa负输入端电连接;NMo1管和NMo2管串接后,两端与电容C2并联,且跨接于放大器opa的负输入端、输出端之间;放大器输出端与NMs1管栅极电连接;
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