[发明专利]一种制备羟基氧化锰超细单晶纳米线的方法无效
| 申请号： | 201010592722.2 | 申请日： | 2010-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102531064A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李小剑;赵一;周成钢 | 申请（专利权）人： | 西安迈克森新材料有限公司 |
| 主分类号： | C01G45/00 | 分类号： | C01G45/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710075 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 羟基 氧化锰 超细单晶 纳米 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种合成羟基氧化锰超细单晶纳米线的方法，其特征在于，该方法使用高锰酸钾为单一锰源，采用有机物分子作为还原剂，在密闭反应体系下反应，所述有机物分子包括聚乙烯吡咯烷酮或十二烷基硫酸钠，具体步骤如下：
(1)将聚乙烯吡咯烷酮或十二烷基硫酸钠与高锰酸钾按物质的量之比0.5-5加入到去离子水中，室温下充分搅拌混合均匀；
(2)将上述混合溶液转移到密闭的反应器中，在120～170℃下反应5～30h，然后冷却至室温经过滤洗涤得到单斜相羟基氧化锰纳米线。
2.根据权利要求1所述合成羟基氧化锰超细单晶纳米线的方法，其特征在于：所述聚乙烯吡咯烷酮或十二烷基硫酸钠与高锰酸钾按物质的量之比为2～4.2较佳。
3.根据权利要求2所述合成羟基氧化锰超细单晶纳米线的方法，其特征在于：所述聚乙烯吡咯烷酮或十二烷基硫酸钠与高锰酸钾按物质的量之比为3～3.5最佳。
4.根据权利要求1所述合成羟基氧化锰超细单晶纳米线的方法，其特征在于：所述反应条件是，在130～160℃下，反应6～28h。
5.根据权利要求1所述合成羟基氧化锰超细单晶纳米线的方法，其特征在于：所述反应条件是，在140～150℃下，反应10～25h。
6.根据权利要求1所述合成羟基氧化锰超细单晶纳米线的方法，其特征在于：所述反应条件是，在150℃下，反应15h。
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