[发明专利]限制竞争RAM锁存器无效
| 申请号： | 201010592867.2 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102055463A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李夏禹 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H03K19/0944 | 分类号： | H03K19/0944 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 限制 竞争 ram 锁存器 | ||
1.一种限制竞争RAM锁存器，包括静态单时钟负载管锁存器SSTCL锁存器，其特征在于，还包括与所述SSTCL锁存器的PMOS管MP4并联的两个PMOS管MP8和MP10，以及与所述SSTCL锁存器的另一PMOS管MP5并联的另外两个PMOS管MP9和MP11，其中所述PMOS管MP8和MP10串联，所述PMOS管MP9和MP11串联。
2.如权利要求1所述的限制竞争RAM锁存器，其特征在于，所述SSTCL锁存器为n型锁存器。
3.如权利要求1或2所述的限制竞争RAM锁存器，其特征在于，还包括作为时钟负载的NMOS管MN1，所述NMOS管MN1的一端接地，另一端通过NMOS管MN2和MN3分别与所述PMOS管MP8和MP9连接。
4.一种限制竞争RAM锁存器，包括SSTCL锁存器，其特征在于，所述RAM锁存器还包括与所述SSTCL锁存器的NMOS管MN6并联的两个NMOS管MN8和MN10，以及与所述SSTCL锁存器的另一NMOS管MN7并联的另外两个NMOS管MN9和MN11，其中所述NMOS管MN8和MN10串联，所述NMOS管MN9和MN11串联。
5.如权利要求4所述的限制竞争RAM锁存器，其特征在于，所述SSTCL锁存器为p型锁存器。
6.如权利要求4或5所述的限制竞争RAM锁存器，其特征在于，还包括作为时钟负载的PMOS管MP1，所述PMOS管MP1的一端接电源，另一端通过PMOS管MP2和MP3分别与所述NMOS管MN8和MN9连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010592867.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
