[发明专利]硅基液晶显示单元及其制作方法、彩色滤光片结构有效

专利信息
申请号: 201010592930.2 申请日: 2010-12-16
公开(公告)号: CN102566164A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 毛剑宏;唐德明 申请(专利权)人: 上海丽恒光微电子科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1335;G02F1/1343;G02B5/20;H01L27/06;H01L21/822
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 上海市浦东新区上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 液晶显示 单元 及其 制作方法 彩色 滤光 结构
【权利要求书】:

1.一种硅基液晶显示单元,包括:玻璃基板,与玻璃基板相对设置的硅基液晶显示芯片基板,和位于所述玻璃基板和硅基液晶显示芯片基板之间的液晶层,其特征在于,所述硅基液晶显示芯片基板包括:

半导体基片,所述半导体基片内具有第一开关、第二开关、第三开关;第一反射电极,位于所述半导体基片朝向液晶层的表面上方,所述第一反射电极与所述第一开关电连接,所述第一反射电极朝向液晶层的表面为光线反射面;

第二反射电极,位于所述半导体基片朝向液晶层的表面上方,所述第二反射电极与所述第二开关电连接,所述第二反射电极朝向液晶层的表面为光线反射面;

第三反射电极,位于所述半导体基片朝向液晶层的表面上方,所述第三反射电极与所述第三开关电连接,所述第三反射电极朝向液晶层的表面为光线反射面,所述第三反射电极与第一反射电极、第二反射电极相互电学绝缘;第一滤光电极,位于第一反射电极的光线反射面上方,所述第一滤光电极为半透光的金属薄膜,所述第一滤光电极与所述第一反射电极的光线反射面的距离为第一光线波长的1/4奇数倍;

第二滤光电极,位于第二反射电极的光线反射面上方,所述第二滤光电极为半透光的金属薄膜,所述第二滤光电极与所述第二反射电极的光线反射面的距离为第二光线波长的1/4奇数倍;

第三滤光电极,位于第三反射电极的光线反射面上方,所述第三滤光电极为半透光的金属薄膜,所述第三滤光电极与所述第三反射电极的光线反射面的距离为第三光线波长的1/4奇数倍,所述第三滤光电极与所述第一滤光电极、第二滤光电极电学绝缘,所述第一光线、第二光线、第三光线为三基色光线或相加二次色光线;

液晶配向层,覆盖所述第一滤光电极、第二滤光电极、第三滤光电极。

2.如权利要求1所述的硅基液晶显示单元,其特征在于,所述第一滤光电极与第一反射电极电连接。

3.如权利要求1所述的硅基液晶显示单元,其特征在于,所述第二滤光电极与第二反射电极电连接。

4.如权利要求1所述的硅基液晶显示单元,其特征在于,所述第三滤光电极与第三反射电极电连接。

5.如权利要求1所述的硅基液晶显示单元,其特征在于,所述半透光的金属薄膜材质为金属,厚度范围为10~500埃,所述金属为银、铝、铜、钛、铂金、金、镍、钴或者其中的组合。

6.如权利要求1所述的硅基液晶显示单元,其特征在于,还包括:第一绝缘层,位于所述所述第一滤光电极和第一反射电极之间,所述第一绝缘层的厚度等于所述第一光线波长的1/4奇数倍。

7.如权利要求6所述的硅基液晶显示单元,其特征在于,所述第一绝缘层材质为氧化硅、氮氧化硅,碳化硅,氮化硅或者其中的组合。

8.如权利要求1所述的硅基液晶显示单元,其特征在于,还包括:第二绝缘层,位于所述第二滤光电极和第二反射电极之间,所述第二绝缘层的厚度等于所述第二光线波长的1/4奇数倍。

9.如权利要求8所述的硅基液晶显示单元,其特征在于,所述第二绝缘层的材质为氧化硅、氮氧化硅,碳化硅,氮化硅或者其中的组合。

10.如权利要求1所述的硅基液晶显示单元,其特征在于,还包括:第三绝缘层,位于所述第三滤光电极和第三反射电极之间,所述第三绝缘层的厚度等于所述第三光线波长的1/4奇数倍。

11.如权利要求10所述的硅基液晶显示单元,其特征在于,所述第三绝缘层的材质为氧化硅、氮氧化硅,碳化硅,氮化硅或者其中的组合。

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