[发明专利]一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201010593296.4 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102130295A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;韦晓莹;王芳;曲长庆 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市南*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 薄膜 存储器 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器，其特征在于：其器件单元由底电极、阻变存储层和顶电极构成，器件单元为三明治结构，阻变存储层位于底电极和顶电极之间，阻变存储层采用氧化钒薄膜，氧化钒成分为VOX，其中0.5＜X＜2.5，氧化钒薄膜的厚度为(20-500)纳米。
2.根据权利要求1所述基于氧化钒薄膜的阻变存储器，其特征在于：所述底电极为Pt、W、Ti、TiN、Cu或导电金刚石。
3.根据权利要求1所述基于氧化钒薄膜的阻变存储器，其特征在于：所述顶电极采为Cu、Ag或Al。
4.一种如权利要求1所述基于氧化钒薄膜的阻变存储器器件单元的制备方法，其特征在于步骤如下：
1)首先采用常规方法在衬底基片上制备底电极；
2)在制备好的底电极上制备氧化钒薄膜；
3)将制备的氧化钒薄膜在惰性气氛或真空气氛下退火；
4)最后在氧化钒薄膜上采用常规方法制备顶电极并在顶电极上加一层常规的保护膜。
5.根据权利要求4所述基于氧化钒薄膜的阻变存储器器件单元的制备方法，其特征在于：所述氧化钒薄膜的制备方法为直流溅射或射频溅射，工艺条件为：本底真空度＜10-4Pa、衬底温度为室温-200℃、工作气压为0.5-2Pa、溅射时在O2和Ar混合气体中氧分压为5％-30％、溅射功率为50-250W。
6.根据权利要求4所述基于氧化钒薄膜的阻变存储器器件单元的制备方法，其特征在于：所述氧化钒薄膜在惰性气氛或真空气氛下退火的工艺条件：退火温度为200-600℃、退火时间为1-120分钟。
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