[发明专利]蚀刻设备

权利要求书

1.一种蚀刻设备，所述蚀刻设备包括：

多个室，每个室具有敞开的以使基底进入或排出基底的开口；

喷射构件，安装在多个室中的每个室的内部以喷射化学液体；

阻截构件，邻近地安装在多个室中的每个室的开口处并抽吸进入到多个室中的每个室的开口中的气体。

2.如权利要求1所述的蚀刻设备，所述蚀刻设备还包括酸出口，酸出口安装在多个室中的每个室中以抽吸在多个室中的每个室中产生的烟汽。

3.如权利要求1所述的蚀刻设备，其中，阻截构件以管状形成，在所述管状中形成有多个抽吸孔。

4.如权利要求3所述的蚀刻设备，其中，

开口以具有宽度方向和高度方向的四边形形状形成，

阻截构件沿开口的宽度方向设置，多个抽吸孔设置为沿开口的宽度方向隔开。

5.如权利要求1所述的蚀刻设备，其中，阻截构件安装在每个室中并处于开口的基于重力方向的上方。

6.如权利要求1所述的蚀刻设备，其中，开口为出口，基底通过所述出口排出，阻截构件设置为与所述出口邻近。

7.如权利要求1所述的蚀刻设备，其中，开口包括入口，基底通过所述入口进入，阻截构件设置为与所述入口邻近。

8.如权利要求1所述的蚀刻设备，其中，开口包括出口和入口，基底通过所述出口排出并通过所述入口进入，阻截构件分别安装在与入口和出口邻近的位置处。

9.如权利要求1所述的蚀刻设备，其中，阻截构件安装有覆盖阻截构件的盖。

10.如权利要求9所述的蚀刻设备，其中，盖的上表面形成为相对于水平面倾斜。

11.如权利要求1所述的蚀刻设备，其中，

多个室包括对基底执行蚀刻工艺的蚀刻室和暂时保持基底的缓冲室，

蚀刻室和缓冲室均包括入口和出口，基底通过入口进入并通过出口排出，

阻截构件安装在与蚀刻室的入口邻近的位置处，且阻截构件安装在与缓冲室的出口邻近的位置处。

12.如权利要求1所述的设备，其中，

多个室包括对基底执行蚀刻的蚀刻室和暂时保持基底的缓冲室，

蚀刻室和缓冲室均包括入口和出口，基底通过入口进入并通过出口排出，

阻截构件分别安装与蚀刻室的入口和出口邻近的位置处，且阻截构件安装在与缓冲室的出口邻近的位置处。

13.一种蚀刻设备，所述蚀刻设备包括：

缓冲室，暂时保持基底，并具有敞开的以使基底进入或排出基底的开口；

多个蚀刻室，每个蚀刻室具有敞开的使基底进入或排出基底的另一开口；

多个喷射构件，安装在多个蚀刻室中的每个蚀刻室的内部以喷射化学液体；

多个阻截构件，设置为紧邻多个蚀刻室中的每个室的另一开口及缓冲室的开口，多个阻截构件吸取进入到多个蚀刻室中的每个蚀刻室的另一开口和缓冲室的开口中的气体。

14.如权利要求13所述的蚀刻设备，其中，

缓冲室和多个蚀刻室均包括入口和出口，基底通过入口进入并通过出口排出，

阻截构件安装在与蚀刻室的入口邻近的位置处，且阻截构件安装在与缓冲室的出口邻近的位置处。

15.如权利要求13所述的蚀刻设备，其中，

缓冲室和多个蚀刻室均包括入口和出口，基底通过入口进入并通过出口排出，

多个阻截构件中的每个分别安装在与多个蚀刻室中的每个蚀刻室的入口和出口邻近的位置处，且阻截构件安装在与缓冲室的出口邻近的位置处。

16.如权利要求13所述的蚀刻设备，其中，多个阻截构件中的每个结合到提供抽吸压的真空泵。

17.如权利要求13所述的蚀刻设备，其中，缓冲室的开口和多个蚀刻室中的每个蚀刻室的另一开口的形状为具有宽度方向和高度方向的四边形，

宽度方向为与重力方向交叉的方向，高度方向为与重力方向平行的方向，

多个阻截构件的每个沿缓冲室的开口和多个蚀刻室中的每个蚀刻室的另一开口的宽度方向与缓冲室的开口和多个蚀刻室中的每个蚀刻室的另一开口紧邻。

18.如权利要求17所述的蚀刻设备，其中，

多个阻截构件中的每个位于缓冲室的开口和多个蚀刻室中的每个蚀刻室的另一开口的上方，

上方为沿重力方向距地面较远的位置。