[发明专利]静电保护器件有效
| 申请号： | 201010593664.5 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102543991A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 苏庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 保护 器件 | ||
1.一种静电保护器件，包括相邻的一个N阱和一个P阱，其特征在于，
所述N阱中，形成有第一P+扩散区、第二P+扩散区、第一N+扩散区；
所述P阱中，形成有第三P+扩散区、第四P+扩散区、第三N+扩散区；
所述N阱中的第一P+扩散区、第二P+扩散区、第一N+扩散区形成一PNP晶体管或一PMOS管，所述第一P+扩散区及第一N+扩散区短接用于接静电端；
所述P阱中的第三P+扩散区、第四P+扩散区、第三N+扩散区，第三P+扩散区距离N阱最近，第三N+扩散区次之，第四P+扩散区距离N阱最远，第三P+扩散区及第三N+扩散区短接用于接地端，第四P+扩散区及N阱中的第二P+扩散区短接。
2.根据权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，在N阱中，还形成有第二N+扩散区，第二N+扩散区距离P阱较第一P+扩散区、第二P+扩散区、第一N+扩散区近，第二N+扩散区同第一P+扩散区及第一N+扩散区短接。
3.根据权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述N阱中的第一P+扩散区、第二P+扩散区、第一N+扩散区形成一PNP晶体管，第一P+扩散区作为该PNP晶体管的发射极，第二P+扩散区作为该PNP晶体管的发射极集电极，第一N+扩散区作为该PNP晶体管的基极。
4.根据权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，所述N阱中的第一P+扩散区、第二P+扩散区、第一N+扩散区形成一PMOS管，第一P+扩散区、第二P+扩散区分别作为该PMOS管的源、漏极，第一N+扩散区作为该PMOS管的衬底端，第一P+扩散区、第二P+扩散区之间的沟道区上方形成有该PMOS管的栅极，该PMOS管的栅极同第一P+扩散区及第一N+扩散区短接。
5.根据权利要求2所述的静电保护器件，其特征在于，第二N+扩散区较第一N+扩散区、第三N+扩散区深。
6.根据权利要求1所述的静电保护器件，其特征在于，第三P+扩散区较第一P+扩散区、第二P+扩散区、第四P+扩散区深。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010593664.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：甾体类5α-还原酶抑制剂、其制备方法及其医药用途
- 下一篇：洗衣机的控制方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
