[发明专利]以锗酸根离子水溶性前驱体制备锗材料的方法有效
| 申请号： | 201010594317.4 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102049529A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 敬承斌;聂荣志;臧晓丹;单海洋;王伟;姜迎静;李毅;褚君浩 | 申请（专利权）人： | 敬承斌 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24;B82Y40/00;C23C18/31 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 马俊荣 |
| 地址： | 266042 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 酸根 离子 水溶性 前驱 体制 材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种锗纳米粉体的制备方法，其特征在于利用锗酸根离子水溶性前驱体与硼氢化钠反应，将反应产物离心、洗涤、干燥后，经过进一步热处理得到。
2.根据权利要求1所述的锗纳米粉体的制备方法，其特征在于反应中，硼氢化钠和前驱体中二氧化锗的摩尔比为4∶1～6∶1，反应时间为12～48小时，热处理温度为120～180℃。
3.一种锗薄膜材料的制备方法，其特征在于利用锗酸根离子水溶性前驱体与硼氢化钠反应，将反应产物离心、洗涤、干燥后，经热蒸发得到锗薄膜。
4.根据权利要求3所述的锗薄膜材料的制备方法，其特征在于热蒸发温度为400～1000℃。
5.一种锗多孔膜材料的制备方法，其特征在于采用锗酸根离子水溶性前驱体，将前驱体调节至酸性后缓慢析出二氧化锗并沉积成膜，然后在氢气气氛中热处理二氧化锗膜得到锗多孔膜材料。
6.根据权利要求5所述的锗多孔膜材料的制备方法，其特征在于氢气气氛中热处理温度为500～700℃。
7.根据权利要求5或6所述的锗多孔膜材料的制备方法，其特征在于氧化锗膜在衬底上形成。
8.一种权利要求1所述锗酸根离子水溶性前驱体和硼氢化钠的反应产物，可用作锗源应用于锗薄膜制备。
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