[发明专利]一种低压埋沟VDMOS器件

权利要求书

1.一种低压埋沟VDMOS器件，包括金属化漏极(1)、N⁺衬底(2)、N^-外延层(3)、深P体区(5)、N型重掺杂区(6)、P型重掺杂区(7)、栅氧化层(8)、多晶硅栅电极(9)、金属化源极(10)；金属化漏极(1)位于N⁺衬底(2)背面，N^-外延层(3)位于N⁺衬底(2)正面；两个深P体区(5)位于N^-外延层(3)上部的两侧，深P体区(5)的外侧部分通过P型重掺杂区(7)与金属化源极(10)相连；深P体区(5)的内侧部分通过N型重掺杂区(6)与金属化源极(10)相连；两个N型重掺杂区(6)之间的N^-外延层(3)的表面是栅氧化层(8)，栅氧化层(8)的表面是多晶硅栅电极(9)，多晶硅栅电极(9)与金属化源极(10)之间是隔离介质；所述深P体区(5)采用高能离子注入工艺制作；所述栅氧化层(8)的厚度在5～30纳米之间。

2.根据权利要求1所述的一种低压埋沟VDMOS器件，其特征是，深P体区(5)采用高能硼离子注入，注入能量为50KeV～150KeV且注入剂量在3×10¹²～5×10¹³cm^-2之间，N型重掺杂区(6)采用砷离子注入或砷离子扩散，砷离子能量为10KeV～30KeV且剂量为2×10¹⁹～9×10¹⁹cm^-3之间，P型重掺杂区(7)采用硼离子注入或硼离子扩散，硼离子能量为20～40KeV且剂量为2×10¹⁹～2×10²⁰cm^-3之间。