[发明专利]半导体结构及其制造方法、电阻结构无效

专利信息
申请号: 201010594455.2 申请日: 2010-12-14
公开(公告)号: CN102315201A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 林建宏;彭锦权;李慈莉;林碧玲;魏伯州;蔡建世 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64;H01L23/367;H01L21/02
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 结构 及其 制造 方法 电阻
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种半导体结构及其制造方法、电阻结构,尤其涉及一种用以将一具有相邻元件和内连线的电阻的热量消散的半导体结构。

背景技术

电阻在例如模拟、逻辑和混合信号集成电路的应用上,是关键的构件。随着元件图样持续的微缩和较高工艺速度的需求,集成电路消耗越来越多的能量且产生更多的热量。焦耳热(电流穿过电阻过程所释放的热量)已变成电阻的关键事项。一电阻产生的热量通常会影响到电阻周围的元件(例如晶体管、电容器等)和内连线,引起可靠度和效能的问题。此特别会于一基板上夹在绝缘材料中的金属层的金属化区域产生问题。

目前已有各种方法被提出,以提供集成电路的热消散。上述的一方法是将散热器贴合在裸片或印刷电路板的背部。另一方法是使用冷却风扇进行吹风冷却。然而,此方法虽能解决元件封装散热的问题,但可能不特别适合或有效的将电阻相邻的元件或内连线的热量导出。

因此,业界需要一方法和结构,减少电阻周围元件和内连线的热冲击(thermal impact)。

发明内容

为了解决现有技术的问题,本发明提供一种半导体结构,用以将一具有相邻元件和内连线的电阻的热量消散,包括:一半导体基底;一电阻,设置于半导体基底上;及一热保护结构,设置于电阻上,热保护结构具有多个散热单元,上述散热单元具有与热保护结构热导接触的一末端,和与半导体基底热导接触的另一末端,热保护结构用以接收电阻产生的热量,且上述散热单元用以将电阻产生的热量经由半导体基底来消散。

本发明提供一电阻结构,用以减少相邻元件和内连线的热冲击(thermalimpact),包括:一半导体基底;一电阻,设置于半导体基底上;及一热保护结构,设置于电阻上,热保护结构具有多个散热单元,上述散热单元具有与热保护结构热导接触的一末端,和与半导体基底热导接触的另一末端,热保护结构用以接收电阻产生的热量,且上述散热单元用以将电阻产生的热量经由半导体基底来消散。

本发明提供一种半导体结构的制造方法,半导体结构用以将具有相邻元件和内连线的电阻的热量消散,包括:提供一半导体基底;形成一电阻,于半导体基底上;形成一热保护结构,于电阻上;及形成多个散热单元,上述散热单元具有与热保护结构热导接触的一末端,和与半导体基底热导接触的另一末端,热保护结构用以接收电阻产生的热量,且上述散热单元用以将电阻产生的热量经由半导体基底来消散。

本发明可减少电阻周围元件和内连线的热冲击。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂,下文特举一优选实施例,并配合所附附图,作详细说明如下:

附图说明

图1显示本发明一实施例用以散热电阻的半导体结构的俯视图。

图2显示图1结构沿着A-A线的剖面图。

图3显示图1结构沿着B-B线的剖面图。

图4显示本发明另一实施例用以散热电阻的半导体结构的俯视图。

图5显示本发明又另一实施例用以散热电阻的半导体结构的俯视图。

图6显示本发明又另一实施例用以散热电阻的半导体结构的俯视图。

其中,附图标记说明如下:

10~半导体结构;20~半导体基底;

30~浅沟槽隔离层;40~电阻;

50~终端接触;60~插塞;

70~热保护结构;80~金属盖层;

90~散热单元;100~热量。

具体实施方式

以下的叙述提出各种特定的细节,以完全了解本发明的实施例。然而,本领域普通技术人员可知道,即使没有这些特定的细节,本领域普通技术人员仍可实施本揭示的实施例。以下一些范例没有详细描述已知的结构和工艺,以避免不必要的混淆本揭示的实施例。

整份说明书中提到的“一实施例”或“一个实施例”指该实施例中所描述的特别图样、结构或特征包含在本揭示的至少一实施例中。因此,整份说明书中各处的“在一实施例中”或“在一个实施例中”不必然均归属于同一实施例。另外,在一或更多的实施例中,特别的图样、结构或特征可以任何适合的方式结合。可理解的是,以下的附图没有依照比例绘制,这些附图仅用来揭示本发明。

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