[发明专利]铝合金表面硅掺杂铈耐腐蚀膜的制备工艺无效

专利信息
申请号: 201010594508.0 申请日: 2010-12-09
公开(公告)号: CN102021554A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 王昕;宫承鹏;刘浩泉 申请(专利权)人: 中国海洋大学
主分类号: C23C22/56 分类号: C23C22/56;C23C22/78
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 266100 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 铝合金 表面 掺杂 腐蚀 制备 工艺
【权利要求书】:

1.一种铝合金表面硅掺杂铈耐腐蚀膜的制备工艺,其特征在于将铝合金进行表面预处理,再浸入溶有有机硅的铈盐转化液中,在铝合金表面发生成膜反应,形成耐腐蚀膜,然后取出铝合金并用去离子水清洗,烘干。

2.如权利要求1所述铝合金表面硅掺杂铈耐腐蚀膜的制备工艺,其特征在于所述的铝合金表面预处理步骤为:将铝合金表面打磨至光亮;用去离子水冲洗;在室温下的丙酮或乙醇有机溶剂中浸泡3~10分钟;取出后用去离子水冲洗;在20~50℃的碱性水溶液中浸泡2~5分钟,该碱性水溶液中含有碳酸钠20~40g/L、氢氧化钠20~40g/L;取出后用去离子水冲洗。

3.如权利要求1所述铝合金表面硅掺杂铈耐腐蚀膜的制备工艺,其特征在于所述的铈盐转化液中,含有铈盐20~40g/L、主氧化剂20~50ml/L、辅助氧化剂100~200g/L、有机硅3~10g/L、成膜促进剂0.5~2g/L,转化液pH值为2.0~3.5。

4.如权利要求3所述铝合金表面硅掺杂铈耐腐蚀膜的制备工艺,其特征在于所述的铈盐为水合氯化亚铈;所述的主氧化剂为过氧化氢;所述的辅助氧化剂为高氯酸钠;所述的有机硅为乙烯基三甲氧基硅烷;所述的成膜促进剂为苯甲酸钠和/或苯骈三氮唑。

5.如权利要求3所述铝合金表面硅掺杂铈耐腐蚀膜的制备工艺,其特征在于所述的有机硅在加入前需先水解,水解温度为室温,水解时间为1~3小时。

6.如权利要求1所述铝合金表面硅掺杂铈耐腐蚀膜的制备工艺,其特征在于所述的成膜反应温度为室温,成膜时间为3~10分钟。

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