[发明专利]相变存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201010594846.4 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102569645A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健;涂火金;何有丰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 形成 方法 | ||
1.一种相变存储器的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成沟槽；
在所述沟槽中外延生长形成第一外延层，所述第一外延层为N型掺杂或P型掺杂的半导体材料。
2.根据权利要求1所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一外延层上外延生长形成第二外延层，所述第二外延层为非掺杂的半导体材料。
3.根据权利要求2所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述第二外延层的形成过程和所述第一外延层的形成过程是非原位的。
4.根据权利要求2所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述第二外延层的厚度为至
5.根据权利要求4所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述第二外延层的厚度为至
6.根据权利要求2所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，使用第一选择性外延生长形成所述第一外延层。
7.根据权利要求6所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，在所述第一选择性外延生长过程中引入磷离子，砷离子，或锑离子。
8.根据权利要求7所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述第一选择性外延生长的反应物包括：SiH4和SiH2Cl2中的一种，AsH3和PH3中的一种，HCl和H2。
9.根据权利要求8所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述SiH4或SiH2Cl2的流量为1sccm至1000sccm，所述AsH3或PH3的流量为1sccm至1000sccm，所述HCl的流量为1sccm至1000sccm，所述H2的流量为0.1slm至100slm。
10.根据权利要求6所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，在所述第一选择性外延生长过程中引入硼离子或铟离子。
11.根据权利要求6所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述第一选择性外延生长的反应温度为550℃至1100℃，反应压强为0.1Torr至100Torr。
12.根据权利要求6所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，使用第二选择性外延生长形成所述第二外延层。
13.根据权利要求12所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述第二选择性外延生长的反应温度低于所述第一选择性外延生长的反应温度。
14.根据权利要求12所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述第二选择性外延生长的反应压强低于所述第一选择性外延生长的反应压强。
15.根据权利要求12所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述第二选择性外延生长的反应物的流速大于所述第一选择性外延生长的反应物的流速。
16.根据权利要求2所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第二外延层上依次形成PN结和相变材料。
17.根据权利要求1所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一外延层上依次形成PN结和相变材料。
18.根据权利要求16或17所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述相变材料的材料为锗-锑-碲。
19.根据权利要求1所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述在所述半导体衬底上形成沟槽包括：
在所述半导体衬底上形成衬垫层和硬掩膜层；
对所述硬掩膜层和衬垫层进行图形化，定义出所述沟槽的图形；
以所述硬掩膜层为掩膜，对所述半导体衬底进行刻蚀，形成所述沟槽。
20.根据权利要求19所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底，所述衬垫层的材料为氧化硅，所述硬掩膜层的材料为氮化硅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010594846.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
