[发明专利]一种低热导率的多层相变材料

权利要求书

1.一种低热导率的多层相变材料，其特征在于：其为两种单层薄膜相变材料交替堆叠形成周期性的多层膜结构，两种薄膜材料的组成元素不全相同或完全相同但原子百分比不同。

2.根据权利要求1所述的多层相变材料，其特征在于，所述单层薄膜相变材料为GeTe、SbTe、BiTe、SnTe、AsTe、GeSe、SbSe、BiSe、SnSe、 AsSe、InSe、 GeSbTe和AgInSbTe中的任意一种,或者上述任意一种化合物掺杂S或N或O或Cu或Si或Au元素形成的混合物。

3.根据权利要求2所述的多层相变材料，其特征在于，掺杂元素占所述单层薄膜相变材料的原子百分比为0.5～50%。

4.根据权利要求1或2或3所述的多层相变材料，其特征在于，各单层薄膜相变材料的厚度范围为0.5nm至5nm。

5.根据权利要求1或2或3所述的多层相变材料，其特征在于：所述两种单层薄膜相变材料有相同的晶体结构且晶格常数接近。

6.一种制备权利要求1至5之一所述的多层相变材料的方法，具体为：先在衬底上沉积一层薄膜相变材料A，再在该层薄膜材料A上沉积另一种薄膜相变材料B，形成一个周期结构；然后在薄膜材料B上沉积一层薄膜材料A，再在薄膜材料A上沉积一层薄膜材料B，形成第二个周期结构；如此循环沉积成周期性的多层膜结构。

7.一种测试权利要求1至5之一所述的多层相变材料热导率的样品，包含两层绝缘导热材料和多层相变材料,多层相变材料位于两层绝缘导热材料之间，其中一层绝缘导热材料沉积于Si衬底上，另一层导热绝缘材料上沉积有金属条。

8.根据权利要求7所述的测试多层相变材料热导率的样品，其特征在于，所述绝缘导热材料的热导率大于1 W/mK。

9.根据权利要求7或8所述的测试多层相变材料热导率的样品，其特征在于，所述绝缘导热材料的厚度为5nm至20nm。

10.根据权利要求7或8所述的测试多层相变材料热导率的样品，其特征在于，所述金属条为“工”字形结构。