[发明专利]用于III-V族薄膜生长反应室的基片支撑座、其反应室及工艺处理方法

权利要求书

1.一种用于III-V族薄膜生长反应室的基片支撑座，其特征在于：所述基片支撑座包括用于放置若干基片的一个或多个基片承载区域以及围绕所述基片承载区域设置的多个气体导引孔或导引槽，所述多个气体导引孔或导引槽与所述反应室的一排气装置流体连通，在薄膜生长工艺处理过程中，所述反应室的反应气体流经所述多个气体导引孔或导引槽，并由所述排气装置排出所述反应室。

2.如权利要求1所述的基片支撑座，其特征在于：所述每一基片承载区域内仅放置一片基片。

3.如权利要求1所述的基片支撑座，其特征在于：所述每一基片承载区域内放置至少两片基片。

4.如权利要求1所述的基片支撑座，其特征在于：所述多个气体导引孔或导引槽在所述基片支撑座上的分布呈至少两个同心圆关系，相邻两个同心圆之间的径向距离可以容纳一片或多片基片。

5.如权利要求1所述的基片支撑座，其特征在于：所述基片支撑座与一旋转机构连接，在基片工艺处理的过程中，所述基片支撑座保持旋转。

6.如权利要求1所述的基片支撑座，其特征在于：所述基片支撑座在基片工艺处理的过程中保持静止。

7.如权利要求1所述的基片支撑座，其特征在于：所述基片支撑座与一升降机构相连接，其上下的高度可以调整。

8.如权利要求1所述的基片支撑座，其特征在于：所述多个气体导引孔的直径大小相同。

9.如权利要求1所述的基片支撑座，其特征在于：所述多个气体导引孔的直径大小不相同。

10.如权利要求1所述的基片支撑座，其特征在于：所述多个气体导引槽的宽度大小相同。

11.如权利要求1所述的基片支撑座，其特征在于：所述多个气体导引槽的宽度大小不相同。

12.如权利要求1所述的基片支撑座，其特征在于：所述多个基片承载区域均匀地分布于所述基片支撑座的上表面。

13.如权利要求1所述的基片支撑座，其特征在于：所述基片承载区域的周边均匀地分布设置有所述多个气体导引孔或导引槽。

14.如权利要求1所述的基片支撑座，其特征在于：所述多个气体导引孔或导引槽中的至少部分为所述多个基片承载区域中的两个所共享。

15.一种用于III-V族薄膜生长反应室的基片支撑座，其特征在于：所述基片支撑座上包括用于放置若干基片的多个基片承载区域以及设置于所述相邻两个基片承载区域之间、用于将相邻两个基片承载区域相互分隔开的多个气体导引孔或导引槽，所述多个气体导引孔或导引槽与所述反应室的一排气装置流体连通，在薄膜生长工艺处理过程中，所述反应室的反应气体流经所述多个气体导引孔或导引槽，并由所述排气装置排出所述反应室。

16.如权利要求15所述的基片支撑座，其特征在于：所述多个气体导引孔或导引槽中的至少部分为所述多个基片承载区域中的两个所共享。

17.一种III-V族薄膜生长反应室，其特征在于：所述反应室包括如权利要求1至16项中任一项所述的基片支撑座。

18.如权利要求17所述的反应室，其特征在于：所述反应室为一立式反应室，所述反应气体从所述基片支撑座的上方竖直流向所述基片支撑座的上表面。

19.如权利要求17所述的反应室，其特征在于：所述反应室为一水平式反应室，所述反应气体从所述基片支撑座的上方平行流经所述基片支撑座的上表面。

20.一种在基片上生长III-V族薄膜的工艺处理方法，包括：

a)提供一反应室，所述反应室包括反应气体输送装置、基片支撑座、排气装置，所述基片支撑座上被分隔有多个基片承载区域以及设置于所述相邻两个基片承载区域之间、用于将相邻两个基片承载区域相互分隔开的多个气体导引孔或导引槽，所述多个气体导引孔或导引槽与所述反应室的一排气装置流体连通；

b)对所述基片进行薄膜生长工艺处理，在所述工艺处理过程中，所述反应气体输送装置提供的反应气体流经所述多个气体导引孔或导引槽，并由所述排气装置排出所述反应室，当反应气体流经所述气体导引孔或导引槽时，所述多个基片承载区域被所述反应气体相互分隔开。