[发明专利]一种用于冷轧NiW合金基带EBSD分析的电解抛光方法有效

专利信息
申请号: 201010595241.7 申请日: 2010-12-20
公开(公告)号: CN102051666A 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: 田辉;索红莉;高忙忙;马麟;刘敏;王毅;王营霞;袁冬梅;邱火勤;王金华;王建宏 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: C25F3/26 分类号: C25F3/26
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 沈波
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 冷轧 niw 合金 基带 ebsd 分析 电解 抛光 方法
【权利要求书】:

1.一种用于冷轧NiW合金基带EBSD分析的电解抛光方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)冷轧NiW合金基带表面或截面的机械抛光

将需要进行EBSD分析的表面或截面进行机械抛光,待测样品依次经过200#,400#,600#,800#,1500#的水磨砂纸抛磨后,再用金刚砂抛磨膏进行机械抛光;

(2)电解抛光液的配置

将HClO4、CH3COOH和C2H5OH以体积比为1∶3∶4的比例进行混合,得到电解抛光液;

(3)冷轧NiW合金基带表面或截面的电解抛光

将机械抛光好的表面或截面进行电解抛光,阴极材料为304不锈钢,电解抛光直流电电压为12V,电解抛光温度为15~30℃,电解抛光时间为20~45s,并且电解抛光时将电解抛光液至于磁力搅拌器上中速搅拌。

2.按照权利要求1的方法,其特征在于,步骤(3)中的中速优选2~3转/秒。

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