[发明专利]一种8英寸晶圆切口氧化膜去除方法和装置有效
| 申请号： | 201010597242.5 | 申请日： | 2010-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102569020A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 徐继平;籍小兵;刘斌;边永智;宁永铎;孙洪波;张静 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 英寸 切口 氧化 去除 方法 装置 | ||
1.一种8英寸晶圆切口氧化膜去除方法，其特征在于：它包括以下步骤：
1)采用理片机将硅片理好，切口垂直向下；
2)将片盒放置于定位卡槽，盖好氮气保护罩；
3)开启电机，由丝杠带动升降槽由HF酸酸槽中向上升起；
4)直至腐蚀块与硅片切口紧密接触时，HF酸与氧化膜开始发生反应；
5)开启电机，带动升降槽降至HF酸酸槽；
6)打开氮气保护罩，取出硅片进行检验。
2.根据权利要求1所述8英寸晶圆切口氧化膜去除方法，其特征在于：所述HF酸与H2O的比例为1∶5-10。
3.根据权利要求1所述8英寸晶圆切口氧化膜去除方法，其特征在于：所述电机带动升降槽升降速率为4-10mm/s。
4.根据权利要求1所述8英寸晶圆切口氧化膜去除方法，其特征在于：所述HF酸与氧化膜发生反应时间为10-30s。
5.根据权利要求1所述8英寸晶圆切口氧化膜去除方法，其特征在于：所述氮气保护罩的氮气压力为10-25psi。
6.一种用于权利要求1所述方法的装置，其特征在于：它包括一个氮气保护罩，一个底部开孔的升降槽，升降槽内置锥形腐蚀块，一个HF酸液槽，一个作用于升降槽的电机丝杠组合，一个带有排风孔的外壳箱体。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于：所述升降槽底部为开圆孔结构，圆孔直径10-25mm。
8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于：所述腐蚀块锥形尖曲率半径r为0.8-1.0mm，锥形面长度a为0.5-2cm，两锥形面夹角90°，腐蚀块高度b为5-15cm。
9.根据权利要求6或8所述的装置，其特征在于：所述腐蚀块材料为四氟，且锥形尖位置粘贴了易于浸润和存储HF酸的布。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于：锥形尖位置粘贴的布，厚度0.1-0.3mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
