[发明专利]薄膜太阳电池用复合背反射金属电极及其制备方法和应用有效
申请号: | 201010597396.4 | 申请日: | 2010-12-17 |
公开(公告)号: | CN102569433A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 周丽华;刘成;叶晓军;王小顺;钱子勍;陈鸣波 | 申请(专利权)人: | 上海空间电源研究所 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/0352 |
代理公司: | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人: | 金家山 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳电池 复合 反射 金属电极 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种薄膜太阳电池用复合背反射金属电极,其特征在于,它是一种复合多层膜,在衬底上依次沉积过渡层金属、银膜和掺铝氧化锌。
2.权利要求1所述的薄膜太阳电池用复合背反射金属电极,其特征在于,所述的过渡层金属为靶、镉、镍、铜或钛;所述的银膜为织构化银膜。
3.权利要求1或2所述的薄膜太阳电池用复合背反射金属电极的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:
步骤一、衬底清洗:
衬底分别经丙酮和酒精溶液超声十五分钟,去离子水冲洗,氮气吹干,再置于溅射设备真空腔室中,在400℃下烘烤60min去除吸附在薄膜内的气体后,采用氩等离子体轰击清洗衬底表面,工艺参数为:工作气压为1-10Pa、气体流量为40-70sccm、溅射功率为80-120W、溅射时间为100s-140s;
步骤二、沉积过渡层金属:
在等离子处理后的衬底[10]上,用金属靶、镍、镉、铜或钛溅射沉积金属过渡层薄膜[11],厚度为20nm~30nm,工艺参数为:工作气压为0-1Pa、气体流量为30-40sccm、溅射功率为40-50W、衬底温度为150-200℃;
步骤三、沉积银膜:
在过渡层金属膜[11]上,用银靶溅射沉积织构化银薄膜[12],工艺参数为:工作气压为0-1Pa、气体流量为30-40sccm、溅射功率为40-250W、衬底温度为300-400℃,厚度为400-500nm;
步骤四、沉积氧化锌膜:
在织构化银膜[12]上,用掺铝氧化锌靶溅射沉积氧化锌薄膜[13],厚度为300nm,工艺参数为:工作气压为0-1Pa、气体流量为30-40sccm、溅射功率为40-250W、衬底温度为200-400℃,厚度为400-500nm;。
4.权利要求3所述的薄膜太阳电池用复合背反射金属电极的制备方法,其特征在于,步骤三采用两步沉积法,将溅射功率分为两步,先采用小功率溅射沉积,溅射功率为50-100W,时间为10-30min,低速生长致密、附着力强的银薄膜;再采用大功率溅射沉积,溅射功率为150-250W,时间为70-90min,快速生长织构化银膜。
5.权利要求1或2所述的薄膜太阳电池用复合背反射金属电极用于柔性衬底或刚性衬底薄膜太阳电池中,其中,柔性衬底材料为不锈钢箔、铝箔、钛箔或聚酰亚胺;刚性衬底材料为玻璃。
6.一种硅基薄膜太阳电池,其特征在于,其为单结电池或多结电池,并包含权利要求1或2所述复合背反射金属电极。
7.一种化合物薄膜太阳电池,其特征在于,其为单结电池或多结电池,并包含权利要求1或2所述复合背反射金属电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的