[发明专利]一种三维多值非挥发存储器的制备方法

权利要求书

1.一种三维多值非挥发存储器的制备方法，其特征在于，该方法包括：

在半导体衬底上形成叠层结构；

形成沟道区域及源/漏掺杂区；

形成栅介质层及栅极区；

分别由源/漏掺杂区及栅极区引出位线及字线，形成三维多值非挥发存储器。

2.根据权利要求1所述的三维多值非挥发存储器的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅片或锗硅片。

3.根据权利要求1所述的三维多值非挥发存储器的制备方法，其特征在于，所述叠层结构为二氧化硅与氮化硅。

4.根据权利要求1所述的三维多值非挥发存储器的制备方法，其特征在于，所述沟道区域，其采用的材料为外延生长得到的单晶硅，或淀积形成的多晶硅，或者为无定形硅淀积后退火形成的多晶硅。

5.根据权利要求1所述的三维多值非挥发存储器的制备方法，其特征在于，所述源/漏掺杂区，其采用的材料为与沟道区掺杂类型相反的重掺杂多晶硅，或者为经处理后形成重掺杂单晶硅。

6.根据权利要求1所述的三维多值非挥发存储器的制备方法，其特征在于，所述源/漏掺杂区，其掺杂条件相同，形成对称的源区与漏区，且沿沟道区周期分布。

7.根据权利要求1所述的三维多值非挥发存储器的制备方法，其特征在于，所述栅介质层，自沟道区由里向外，依次由隧穿介质层、电荷存储层、电荷阻挡层构成；其中隧穿介质层为二氧化硅、高k材料或由多层材料堆叠而成的结构；电荷存储层采用的材料为氮化硅、高k材料或堆叠结构；电荷阻挡层采用的材料二氧化硅、金属氧化物或由多层材料堆叠而成的结构。

8.根据权利要求1所述的三维多值非挥发存储器的制备方法，其特征在于，所述栅介质层位于相邻沟道区之间、堆叠结构中移除氮化硅后的位置，堆叠结构中的二氧化硅用于隔离上下栅极；所述栅极区采用的材料为多晶硅、金属、金属硅化物或由多层材料堆叠而成的结构。

9.根据权利要求1所述的三维多值非挥发存储器的制备方法，其特征在于，所述位线，由源/漏区域引出并按要求连接，材料为多晶硅、金属、金属硅化物或由多层材料堆叠而成的结构。

10.根据权利要求1所述的三维多值非挥发存储器的制备方法，其特征在于，所述字线，由栅极区域上引出并按要求连接，材料为多晶硅、金属、金属硅化物或由多层材料堆叠而成的结构。