[发明专利]一种MLC存储单元的编程方法和装置

权利要求书

1.一种MLC存储单元的编程方法，所述存储单元存储N位数据，共有2^N种数据状态，其特征在于，包括：

验证所述存储单元的阈值电压是否位于与待编程的数据状态相对应的目标阈值电压范围内；

若是，结束对存储单元的编程；

若否，则执行阈值电压抬升步骤：通过对所述存储单元施加第n编程校验电压，将存储单元的阈值电压抬升至第n+1目标阈值电压范围，所述第n+1目标阈值电压范围与当前数据状态的下一相邻数据状态相对应；之后返回阈值电压的验证步骤；

其中，n的初始值为1，每当返回到阈值电压的验证步骤，n的取值递加1，n的最大取值为2^N-1。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述存储单元的初始数据状态为擦除状态，所述擦除状态对应第一目标阈值电压范围。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，

在阈值电压的抬升过程中，所施加的编程校验电压满足：编程校验电压与目标阈值电压的差值逐渐降低。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，

所施加的第n编程校验电压大于第n+1目标阈值电压范围的上限，且小于第n+2目标阈值电压范围的下限。

5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，对于存储两位数据的存储单元，

当待编程的数据状态为“10”时，对擦除状态的存储单元执行一次阈值电压抬升步骤，从“11”状态编程至“10”状态；

当待编程的数据状态为“01”时，对擦除状态的存储单元执行两次阈值电压抬升步骤，从“11”状态经历“10”状态编程至“01”状态；

当待编程的数据状态为“00”时，对擦除状态的存储单元执行三次阈值电压抬升步骤，从“11”状态经历“10”、“01”状态编程至“00”状态。

6.一种MLC存储单元的编程装置，所述存储单元存储N位数据，共有2N种数据状态，其特征在于，包括：

阈值电压验证单元，用于验证所述存储单元的阈值电压是否位于与待编程的数据状态相对应的目标阈值电压范围内；若是，结束对存储单元的编程；若否，则触发阈值电压抬升单元；

阈值电压抬升单元，用于通过对所述存储单元施加第n编程校验电压，将存储单元的阈值电压抬升至第n+1目标阈值电压范围，所述第n+1目标阈值电压范围与当前数据状态的下一相邻数据状态相对应；之后触发阈值电压验证单元；

其中，n的初始值为1，每当阈值电压验证单元执行一次验证步骤，n的取值递加1，n的最大取值为2^N-1。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，

所述存储单元的初始数据状态为擦除状态，所述擦除状态对应第一目标阈值电压范围。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，

所述阈值电压抬升单元在抬升阈值电压的过程中，所施加的编程校验电压满足：编程校验电压与目标阈值电压的差值逐渐降低。

9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，

所施加的第n编程校验电压大于第n+1目标阈值电压范围的上限，且小于第n目标阈值电压范围的下限。

10.根据权利要求1或9所述的装置，其特征在于，对于存储两位数据的存储单元，

当待编程的数据状态为“10”时，所述阈值电压抬升单元对擦除状态的存储单元执行一次阈值电压抬升步骤，从“11”状态编程至“10”状态；

当待编程的数据状态为“01”时，所述阈值电压抬升单元对擦除状态的存储单元执行两次阈值电压抬升步骤，从“11”状态经历“10”状态编程至“01”状态；

当待编程的数据状态为“00”时，所述阈值电压抬升单元对擦除状态的存储单元执行三次阈值电压抬升步骤，从“11”状态经历“10”、“01”状态编程至“00”状态。