[发明专利]制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法

权利要求书

1.一种制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法，该方法包括：

步骤1：在衬底上，溅射一层缓冲层；

步骤2：在缓冲层上溅射一层取向诱导层；

步骤3：利用浸涂或者旋涂的方法，在取向诱导层上自组装一层磁性纳米颗粒阵列；

步骤4：在磁性纳米颗粒阵列上溅射一层盖层，形成基片；

步骤5：对基片进行退火处理，完成磁记录介质的制备。

2.根据权利要求1所述的制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法，其中所用衬底为MgO(001)单晶衬底。

3.根据权利要求1所述的制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法，其中溅射一层取向诱导层的溅射条件为：靶间距为5-7cm，工作环境为Ar气氛，工作压强为0.1-1Pa，衬底10的温度为300-500℃，射频磁控溅射的工作功率为3-10W。

4.根据权利要求1所述的制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法，其中缓冲层的材料为Pt，晶向为(002)，厚度为1-4nm。

5.根据权利要求1所述的制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法，其中取向诱导层的材料为Au，晶向为(002)，厚度为5-50nm。

6.根据权利要求1所述的制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法，其中盖层的材料为Au，厚度为3-10nm。

7.根据权利要求1所述的制备c轴垂直取向图案化磁记录介质的方法，其中所用的退火条件为：退火环境为95％Ar+5％H₂气氛，工作压强为1-10Pa，退火温度为600-700℃，退火时间为30-60分钟。