[发明专利]图案化金属层的方法以及利用其的半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种图案化金属层的方法，包含：

提供一基材，其表面具有一金属层；

形成一导电高分子图案层于该金属层上，其中该导电高分子图案层露出该金属层的一部分；

将形成有该导电高分子图案层的基材置入一电解槽中，让该露出部分的金属层接触该电解槽的电解液，其中该电解槽的一阳极电性连接该导电高分子图案层，且该电解槽的一阴极接触该电解液；以及

提供一电位差于该阳极与该阴极间，以进行一氧化还原反应，让该露出部分的金属层溶解于该电解液中。

2.如权利要求1所述的方法，更包含：

于提供该电位差之后，移除该基材上的该导电高分子图案层。

3.如权利要求1所述的方法，其中该金属层为钼、铬、镍、铝、钕或上述的组合。

4.如权利要求1所述的方法，其中形成该导电高分子图案层的步骤包含：

形成一感旋光性导电高分子层于该金属层上；以及

对该感旋光性导电高分子层进行曝光显影，以形成该导电高分子图案层。

5.如权利要求1所述的方法，其中形成该导电高分子图案层的方法为网板印刷法。

6.如权利要求1所述的方法，其中该电解液包含至少一酸，该酸为硫酸、盐酸、磷酸或氢氟酸。

7.如权利要求1所述的方法，其中该电位差为5伏特至30伏特。

8.一种在金属氧化物层上图案化金属层的方法，包含：

提供一基材，其表面具有一金属氧化物层；

形成一金属层覆盖该金属氧化物层；

形成一导电高分子图案层于该金属层上，其中该导电高分子图案层露出该金属层的一部分；

将形成有该导电高分子图案层的基材置入一电解槽中，让该露出部分的金属层接触该电解槽的电解液，其中该电解槽的一阳极电性连接该导电高分子图案层，且该电解槽的一阴极接触该电解液；以及

提供一电位差于该阳极与该阴极间，以进行一氧化还原反应，让该露出部分的金属层溶解于该电解液中，以暴露出该金属氧化物层。

9.如权利要求8所述的方法，其中该金属氧化物层为氧化铟、氧化镓、氧化锌、氧化铟镓、氧化锌镓、氧化铟锌或上述的组合。

10.一种半导体器件的制造方法，包含：

在一基板上形成一栅电极；

形成一栅介电层覆盖该栅电极以及该基板；

形成一图案化的金属氧化物层于该栅介电层上，其中该金属氧化物层位于该栅电极上方；

形成一金属层覆盖该金属氧化物层以及该栅介电层；

形成一导电高分子图案层于该金属层上，其中该导电高分子图案层露出该金属层的一部分，该露出部分位于该金属层与该金属氧化物层重迭处；

将形成有该导电高分子图案层的基材置入一电解槽中，让该露出部分的金属层接触该电解槽的电解液，其中该电解槽的一阳极电性连接该导电高分子图案层，且该电解槽的一阴极接触该电解液；以及

提供一电位差于该阳极与该阴极间，以进行一氧化还原反应，让该露出部分的金属层溶解于该电解液中，以暴露出该金属氧化物层。