[发明专利]带有操控电路的三值型阻变存储单元及其读写实现方法

权利要求书

1.一种带有操控电路的三值型阻变存储单元，包括三值型阻变存储单元，其特征在于：所述的三值型阻变存储单元的输入端组和输出端组分别与中间状态写入电路的输出端组和读出电路的输入端组对应连接。

2.根据权利要求1所述的带有操控电路的三值型阻变存储单元，其特征在于：所述的三值型阻变存储单元包括第一1T1R结构和第二1T1R结构，第一1T1R结构由第一阻变元件R₀和漏极与该第一阻变元件R₀一端相连接的第一NMOS传输管M₀组成，第二1T1R结构由第二阻变元件R₁和漏极与该第二阻变元件R₁一端相连接的第二NMOS传输管M₁组成，第一阻变元件R₀的另一端与第一位线BL₀相连接，第二阻变元件R₁的另一端与第二位线BL₁相连接，第一NMOS传输管M₀的源极和第二NMOS传输管M₁的源极分别接到第一源线SL₀和第二源线SL₁上，而字线WL经第一传输门T₀和第二传输门T₁分别接至第一NMOS传输管M₀的栅极和第二NMOS传输管M₁的栅极，所述的经第一传输门T₀的控制端、第二传输门T₁的控制端、第一NMOS传输管M₀的栅极和第二NMOS传输管M₁的栅极构成了三值型阻变存储单元的输入端组，而所述的第一阻变元件R₀与第一位线BL₀相连接端和第二阻变元件R₁与第二位线BL₁相连接端构成了三值型阻变存储单元的输出端组。

3.根据权利要求2所述的带有操控电路的三值型阻变存储单元，其特征在于：所述的中间状态写入电路包括第三NMOS传输管N₄和第四NMOS传输管N₅，第三NMOS传输管N₄的漏极和第四NMOS传输管N₅的漏极与所述的三值型阻变存储单元的中间状态电压V_M相连接，第一中间状态写入使能信号WRM₀和第二中间状态写入使能信号WRM₁分别和第三NMOS传输管N₄的栅极和第四NMOS传输管N₅的栅极相连接，另外第一中间状态写入使能信号WRM₀和第二中间状态写入使能信号WRM₁还分别与第一反相器inv₀的输入端和第二反相器inv₁的输入端相连接，第一反相器inv₀的输出端、第二反相器inv₁的输出端、第三NMOS传输管N₄的源极和第四NMOS传输管N₅的源极构成了中间状态写入电路的输出端组，且第一反相器inv₀的输出端和第二反相器inv₁的输出端分别与所述的第一传输门T₀的控制端和第二传输门T₁的控制端相连接，第三NMOS传输管N₄的源极和第四NMOS传输管N₅的源极分别与第一NMOS传输管M₀的栅极和第二NMOS传输管M₁的栅极相连接。