[发明专利]固体摄像器件、用于制造固体摄像器件的方法及电子装置

权利要求书

1.一种固体摄像器件，所述固体摄像器件包括：

半导体区域，它位于多层式布线层上；

电荷累积层，它位于所述半导体区域中；

阻挡层，它位于所述电荷累积层上；以及

连接部，它位于所述阻挡层上。

2.如权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述阻挡层和所述连接部被堆叠为使得所述阻挡层比所述连接部更靠近所述多层式布线层。

3.如权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述阻挡层和所述电荷累积层被堆叠为使得所述电荷累积层比所述阻挡层更靠近所述多层式布线层。

4.如权利要求1所述的固体摄像器件，所述固体摄像器件包括：

绝缘膜，它位于所述连接部上；以及

接触部，它与所述连接部接触并延伸穿过所述绝缘膜。

5.如权利要求4所述的固体摄像器件，其中，所述接触部使所述连接部与所述绝缘膜上的电极电连接。

6.如权利要求4所述的固体摄像器件，其中，所述绝缘膜具有负的固定电荷。

7.如权利要求1所述的固体摄像器件，所述固体摄像器件包括在所述连接部上的遮光膜。

8.如权利要求1所述的固体摄像器件，其中，所述电荷累积层的杂质浓度在朝着所述半导体区域的方向上增大。

9.如权利要求5所述的固体摄像器件，所述固体摄像器件包括在所述电极上的转换膜。

10.如权利要求4所述的固体摄像器件，其中，所述绝缘膜具有高的折射率。

11.如权利要求4所述的固体摄像器件，其中，所述绝缘膜包含氧化铪。

12.如权利要求4所述的固体摄像器件，其中，所述绝缘膜包括氧化铝、氧化锆、氧化钽或氧化钛、氧化镧、氧化镨、氧化铈、氧化钕、氧化钷、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铥、氧化镱、氧化镥、氧化钇、氮化铪膜、氮化铝膜、氮氧化铪膜或氮氧化铝膜。

13.一种用于制造固体摄像器件的方法，所述方法包括以下步骤：

在多层式布线层上形成半导体区域；

在所述半导体区域中形成电荷累积层；

在所述电荷累积层上形成阻挡层；以及

在所述阻挡层上形成连接部。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述阻挡层和所述连接部被堆叠为使得所述阻挡层比所述连接部更靠近所述多层式布线层。

15.如权利要求13所述的方法，其中，所述阻挡层和所述电荷累积层被堆叠为使得所述电荷累积层比所述阻挡层更靠近所述多层式布线层。

16.如权利要求13所述的方法，其中，所述电荷累积层具有比所述连接部的杂质浓度低的杂质浓度。

17.如权利要求13所述的方法，所述方法包括以下步骤：

在所述连接部上形成绝缘膜；以及

形成接触部，所述接触部与所述连接部接触并延伸穿过所述绝缘膜延伸。

18.如权利要求17所述的方法，其中，所述接触部使所述连接部与在所述绝缘膜上的电极电连接。

19.如权利要求13所述的方法，所述方法包括在所述连接部上形成遮光膜的步骤。

20.如权利要求13所述的方法，其中，所述电荷累积层的杂质浓度朝着所述半导体区域逐渐增大。

21.如权利要求18所述的方法，所述方法包括在所述电极上形成转换膜的步骤。

22.如权利要求17所述的方法，其中，所述绝缘膜包含氧化铪。

23.如权利要求17所述的方法，其中，所述绝缘膜包括氧化铝、氧化锆、氧化钽或氧化钛、氧化镧、氧化镨、氧化铈、氧化钕、氧化钷、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铥、氧化镱、氧化镥、氧化钇、氮化铪膜、氮化铝膜、氮氧化铪膜或氮氧化铝膜。