[发明专利]场发射电子器件

权利要求书

1.一种场发射电子器件，其包括：

一绝缘基板；

多个行电极相互平行且间隔设置于绝缘基板的表面；

多个阴极发射体设置于所述行电极表面，且呈矩阵状分布；

一隔离层，所述隔离层设置于绝缘基板表面且覆盖部分行电极；

多个列电极相互平行且间隔设置于隔离层的表面，该多个列电极通过隔离层支撑且与多个行电极异面垂直且交叉设置；

一阳极装置，该阳极装置包括一阳极玻璃基板、一阳极电极以及多个荧光粉区域，上述行电极和列电极相交叉的位置与所述多个荧光粉区域一一对应设置；

其特征在于：所述阴极发射体包括至少一电子发射体，所述电子发射体包括一碳纳米管管状结构，所述碳纳米管管状结构的一端与所述行电极电连接，所述碳纳米管管状结构的另一端向所述阳极电极延伸作为电子发射体的电子发射端，所述碳纳米管管状结构具有一中空的线状轴心，所述碳纳米管管状结构为多个碳纳米管围绕该中空的线状轴心组成，所述碳纳米管管状结构沿所述线状轴心的一端延伸出多个电子发射尖端。

2.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，在每个所述行电极和列电极相交叉的位置，所述隔离层与所述列电极均设置有通孔，所述阴极发射体设置于所述通孔内与所述行电极电连接。

3.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述隔离层包括多个相互平行且间隔设置的隔离体，所述多个隔离体与所述多个行电极垂直且交叉设置，所述多个列电极与所述多个隔离体一一对应且层叠设置。

4.如权利要求3所述的场发射电子器件，其特征在于，在每个所述行电极和列电极相交叉的位置，所述阴极发射体沿所述行电极的延伸方向设置于所述列电极的两侧，并与所述行电极电连接。

5.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述碳纳米管管状结构中大多数碳纳米管围绕所述中空的线状轴心螺旋延伸，在螺旋方向相邻的碳纳米管之间通过范德华力首尾相连。

6.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述碳纳米管管状结构具有多个电子发射尖端的一端为类圆锥形。

7.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述碳纳米管管状结构具有多个电子发射尖端的一端具有一开口，所述碳纳米管管状结构从开口处延伸出多个碳纳米管束作为多个电子发射尖端。

8.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述多个电子发射尖端围绕所述线状轴心呈环状排列，且向阳极延伸。

9.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述多个电子发射尖端围绕所述线状轴心呈发散状延伸。

10.如权利要求1所述的场发射电子器件，其特征在于，所述每个电子发射尖端包括多个基本平行的碳纳米管，每个电子发射尖端的中心位置突出有一根碳纳米管。

11.如权利要求10所述的场发射电子器件，其特征在于，所述多个电子发射尖端中相邻的两个电子发射尖端中突出的碳纳米管之间的间距与突出的碳纳米管的直径的比值为20∶1至500∶1。

12.一种场发射电子器件，其包括：

一绝缘基板；

多个行电极与列电极分别平行且等间隔设置于绝缘基板表面，该多个行电极与多个列电极相互交叉设置且电绝缘，每两个相邻的行电极与两个相邻的列电极形成一个网格；

多个电子发射单元，每个电子发射单元对应一个网格设置，每个电子发射单元进一步包括间隔设置的一阴极电极与一阳极电极，且该阳极电极和阴极电极分别与上述行电极与列电极电连接，以及一阴极发射体，该阴极发射体与阴极电极电连接；

其特征在于，所述阴极发射体包括至少一电子发射体，所述电子发射体包括一碳纳米管管状结构，所述碳纳米管管状结构的一端与所述阴极电极电连接，所述碳纳米管管状结构的另一端向所述阳极电极延伸作为电子发射体的电子发射端，所述碳纳米管管状结构具有一中空的线状轴心，所述碳纳米管管状结构为多个碳纳米管围绕该中空的线状轴心组成，所述碳纳米管管状结构沿所述线状轴心的一端延伸出多个电子发射尖端。

13.如权利要求12所述的场发射电子器件，其特征在于，一荧光粉层设置在所述阳极电极表面。