[发明专利]一种无机半导体硒化镉纳米管结构及其制备方法

权利要求书

1.一种无机半导体硒化镉纳米管结构，其特征在于：在基层上沉积的纳米材料为纳米管结构，所述的纳米管结构的径向横截面为正六边形。

2.一种制备无机半导体硒化镉纳米管结构的方法，其特征在于它包括以下步骤：

(1)按照气流的流动方向在管式炉的石英管中依次放置苝粉末、硒化镉粉末和硅片，其中硅片用耐高温胶固定在内壁上侧，气流为待送入石英管中的惰性气体；

(2)在石英管中通入惰性气体，当石英管中完全处于惰性气体氛围时，在保持惰性气体流入的同时，控制管式炉按预定速率升温至制备纳米管结构所需温度，然后恒温预定时间以使反应充分进行，然后自然冷却降温，在硅片的基面上得到无机半导体硒化镉纳米管结构。

3.根据权利要求2所述的制备无机半导体硒化镉纳米管结构的方法，其特征在于：所述的步骤(1)中的苝粉末与管式炉炉口的距离为1-2cm，所述的硒化镉粉末放置在石英管的中部，硅片距离硒化镉粉末20-21cm。

4.根据权利要求2或3所述的制备无机半导体硒化镉纳米管结构的方法，其特征在于：所述的步骤(2)中的管式炉从30℃在30-50分钟内升温到880-930℃并在该温度下恒温30-60分钟。

5.根据权利要求4所述的制备无机半导体硒化镉纳米管结构的方法，其特征在于：所述的硒化镉粉末和苝粉末的质量比为0.8-1.6。

6.根据权利要求5所述的制备无机半导体硒化镉纳米管结构的方法，其特征在于：所述的步骤(2)中惰性气体流入石英管的流速为100-140毫升/分钟。