[发明专利]CMP工艺缺陷检测方法和浅沟槽隔离的制作方法

权利要求书

1.一种CMP工艺缺陷检测方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底具有至少两个开口，所述开口之间具有半导体结构，所述半导体结构上具有研磨阻挡层；

在所述开口内的基底表面和研磨阻挡层上覆盖介质层；

进行CMP工艺去除所述研磨阻挡层之上的介质层，从而平坦化所述基底表面，然后去除所述研磨阻挡层；

在开口内覆盖介质层之前或者去除研磨阻挡层之后，测量所述半导体结构的关键尺寸；

检测CMP工艺后基底表面是否具有划痕缺陷，如果是，则进行下一步；

判断所述半导体结构的关键尺寸是否大于预设值，如果是，确定所述划痕缺陷由标记刻蚀过程引入。

2.根据权利要求1所述的CMP工艺缺陷检测方法，其特征在于，所述判断半导体结构的关键尺寸是否大于预设值的步骤还包括：如果否，则确定所述划痕缺陷由CMP工艺本身引入。

3.根据权利要求2所述的CMP工艺缺陷检测方法，其特征在于，所述开口为沟槽或通孔。

4.根据权利要求2所述的CMP工艺缺陷检测方法，其特征在于，所述开口为浅沟槽，所述半导体结构为有源区。

5.根据权利要求1所述的CMP工艺缺陷检测方法，其特征在于，所述关键尺寸是否大于预设值决定所述CMP工艺中是否采用反型掩膜层工艺。

6.根据权利要求5所述的CMP工艺缺陷检测方法，其特征在于，所述反型掩膜层工艺包括以下步骤：

形成介质层之后，在所述介质层上形成反型掩膜层；

在所述反型掩膜层中形成所述半导体结构的图案；

以具有半导体结构图案的反型掩膜层为刻蚀阻挡层，刻蚀所述介质层；

去除所述反型掩膜层。

7.根据权利要求6所述的CMP工艺缺陷检测方法，其特征在于，所述反型掩膜层中的半导体结构的图案相对于半导体结构具有缩减尺寸，所述预设值为光刻胶缩减尺寸的两倍。

8.根据权利要求1～7任一项所述的CMP工艺缺陷检测方法，其特征在于，所述测量半导体结构的关键尺寸采用非破坏式的测量方法。

9.一种浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有多个有源区，并在所述半导体衬底表面形成研磨阻挡层；

在所述半导体衬底内多个有源区之间形成浅沟槽；

在所述浅沟槽内和研磨阻挡层上的半导体衬底表面形成介质层；

进行CMP工艺去除所述研磨阻挡层之上的介质层，留下浅沟槽内的介质层，从而平坦化所述基底表面，最后去除所述研磨阻挡层；

在沟槽内覆盖介质层之前或者去除研磨阻挡层之后，测量所述有源区的关键尺寸；

当CMP工艺后基底表面具有划痕缺陷时，判断所述有源区的关键尺寸是否大于预设值，如果是，确定所述划痕缺陷由标记刻蚀过程引入；如果否，则确定所述划痕缺陷由CMP工艺本身引入；

根据上述步骤确定的缺陷引起的原因，采取相应的解决措施以减少划痕缺陷。