[发明专利]一种In2Se3纳米材料的制备方法无效
| 申请号： | 201010599420.8 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102534800A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 孙旭辉;李洋 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B23/00;C23C14/06;C23C14/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 in sub se 纳米 材料 制备 方法 | ||
1.一种In2Se3纳米材料的制备方法，其特征在于，包括：
将气相In2Se3用载气输送到含有催化剂的基体上，并在所述基体上沉积生长得到In2Se3纳米材料；所述催化剂为金颗粒、金膜或铟膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述载气为氢气、氩气、氮气或氦气中一种或几种。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基体包括Si、Al2O3、SiC、Si3N4、陶瓷片或覆盖有SiOx(1≤x≤2)的Si。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金颗粒的粒径为0.5nm～100nm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铟膜厚度为30nm～100nm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沉积生长的压强为1Torr～760Torr。
7.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述沉积生长的压强为30Torr～760Torr。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沉积生长的温度为500℃～800℃。
9.一种In2Se3纳米棒，其特征在于，由权利要求1至8中任一项所述的制备方法进行制备，沉积生长时间小于1h。
10.一种In2Se3纳米线，其特征在于，由权利要求1～8中任一项所述的制备方法进行制备，沉积生长时间为1h～4h。
11.一种纯α相In2Se3纳米线，其特征在于，由权利要求1～8中任一项所述的制备方法进行制备，所述载气为氢气。
12.一种κ相In2Se3纳米线，其特征在于，由权利要求1至9中任一种所述的制备方法进行制备，所述载气为氩气、氮气或氦气中的一种或几种。
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