[发明专利]单片光伏电池芯片的检测方法无效
申请号: | 201010599855.2 | 申请日: | 2010-12-17 |
公开(公告)号: | CN102565065A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 倪夜光 | 申请(专利权)人: | 上海山晟太阳能科技有限公司 |
主分类号: | G01N21/88 | 分类号: | G01N21/88 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201300 上海市浦东新区沪*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单片 电池 芯片 检测 方法 | ||
【权利要求书】:
1.单片光伏电池芯片的检测方法,包括设定工作温度为25℃,湿度为60%的工作环境,配置单相电源220V,10A在内;其特征在于:其检测方法,调整单片光伏电池芯片的输入电流,曝光时间,存储路径,序列号,观察显示器上显示的单片光伏电池芯片图像,按性能分档的测试过程。
2.根据权利要求1所述的单片光伏电池芯片的检测方法,其特征在于:所述的输入电流在1A~10A范围内。
3.根据权利要求1所述的单片光伏电池芯片的检测方法,其特征在于:所述的曝光时间在0.1s~25s范围内。
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