[发明专利]一种多量子阱结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010600208.9 | 申请日： | 2010-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102544278A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李淼;潘尧波;郝茂盛 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多量 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种多量子阱结构，其特征在于：包括n个循环排列的模块结构，所述模块结构顺次包括一个第一势垒层、一个第一势阱层以及m个由第二势垒层和第二势阱层依次交叠而成的量子阱结构；所述第一势垒层的厚度是第二势垒层的1.5-2.5倍。
2.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述的n为大于1小于20的整数。
3.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述的m为大于1小于10的整数。
4.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一势阱层与第二势阱层的材料和厚度均相同。
5.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一势阱层与第二势阱层的厚度均为2-5nm。
6.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一势垒层的厚度为15-22.5nm；所述第二势垒层的厚度为7-15nm。
7.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一势垒层和第二势垒层均为由Ga、In、Al、N元素中的一种或多种组成的化合物或混合物。
8.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一势阱层和第二势阱层均为由Ga、In、Al、N元素中的一种或多种组成的化合物或混合物。
9.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：在所述n个循环排列的模块结构中，前w个模块结构内的第一势垒层中含有Si掺杂元素，其中w≤n。
10.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：在所述n个循环排列的模块结构中，前y个模块结构内的第二势垒层中含有Si掺杂元素，其中y≤n。
11.一种多量子阱结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、生长第一势垒层；
步骤二、在所述第一势垒层上生长第一势阱层；
步骤三、在所述第一势阱层上依次交叠生长第二势垒层和第二势阱层形成m个由第二势垒层和第二势阱层依次交叠而成的量子阱结构，从而完成模块结构；
重复步骤一到步骤三，形成n个循环排列的所述模块结构，从而完成该多量子阱结构的制备。
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