[发明专利]一种基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法

权利要求书

1.一种基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法，其特征在于该调制装置由基底（1）、二氧化钒薄膜（2）和表面金属超材料（3）三层结构构成；其中，二氧化钒薄膜均匀生长在基底表面，然后再在二氧化钒薄膜表面制备金属超材料结构。

2.根据权利要求1所述的基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法，其特征在于二氧化钒薄膜厚度为30 ~ 800nm。

3.根据权利要求1所述的基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法，其特征在于基底材料为硅、砷化镓、石英和蓝宝石中的至少一种，其厚度为0.1 ~ 3mm。

4.根据权利要求1所述的基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法，其特征在于金属超材料结构通过刻蚀法在二氧化钒薄膜表面实现。

5.根据权利要求1所述的基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制装置及其方法，其特征在于该装置利用二氧化钒可逆相变过程中光、电等物理性质急剧变化的特性，实现太赫兹波的调制。

6.根据权利要求5所述的基于二氧化钒薄膜相变特性的太赫兹波调制方法，其特征在于二氧化钒可逆相变是利用外加热量、偏压或激光中的一种或多种途径来激发。