[发明专利]整片晶圆纳米压印的装置和方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种整片晶圆纳米压印的装置和方法，以实现光子晶体LED整片晶圆的图形化，属微纳制造和光电子器件制造技术领域。

背景技术

纳米压印光刻(Nanoimprint Lithography，NIL)是一种全新微纳米图形化的方法，它是一种使用模具通过抗蚀剂的受力变形实现其图形化的技术。与其它微纳米制造方法相比，NIL具有高分辩率、超低成本(国际权威机构评估同等制作水平的NIL比传统光学投影光刻至少低一个数量级)和高生产率的特点，尤其在大面积微纳米结构和复杂三维微纳米结构制造方面具有突出的优势。随着纳米压印光刻在高亮度光子晶体LED、高密度磁盘介质(HDD)、光学元器件(光波导、微光学透镜、光栅)、微流控器件等领域的广泛应用，对于大面积、全场、整片晶圆压印工艺的需求越来越迫切，同时对于压印面积、复型精度的要求也愈来愈高。目前实现大面积或者整片晶圆纳米压印的方法主要有两种：第一种是采用步进重复纳米压印工艺(Step-and-repeat NIL)；第二种是采用单步整片晶圆纳米压印。与采用步进重复纳米压印工艺实现大面积图形化方法相比，采用整片晶圆(晶圆级)纳米压印(Full wafer NIL，Wafer-level NIL，Wafer scale NIL)具有生产率高、图形均匀和一致性好等显著的优点。但是整片晶圆压印工艺也面临着许多新的挑战性问题：(1)如何在大面积施加均匀一致的压印力。压印力分布不均匀，一方面导致复型精度的降低，另一方面对于脆性材料的模板或者衬底，压印力的不均匀极易导致其破裂。晶圆尺寸已经从早期的4inch和6inch，发展到8inch，直至当前的和12inch(300毫米)，以及未来的18inch(450毫米)，随着晶圆面积的增加，意味着每单位面积的制作成本降低、总体产能的提升。但是随着晶圆尺寸的不断增大，对于纳米压印工艺，如何在大面积的晶圆上获得均匀一致的压印力变的愈发困难。对于压印工作台和压印机构性能的要求越来越高；(2)如何减小压印力。为了实现模具与整片晶圆完全、均匀性的接触，液态抗蚀剂快速、完全充填模具微纳米腔体结构，与步进重复纳米压印工艺和小面积压印工艺相比，整片晶圆压印需要更到的压印力，大的压印力将导致模具产生变形，对于软模具其变形尤为严重，这将导致复型精度的降低、存在缺陷，甚至图形复制失败；(3)如何消除气泡。如何消除气泡一直是纳米压印工艺所面临的极为棘手的问题，气泡的存在将导致复制的图形存在缺陷，大面积压印极易产生气泡，在大面积压印过程中消除气泡是非常难以解决的问题；(4)脱模困难。大面积需要更到的脱模力，容易损坏模具和复制的图形；(5)整个压印区域获得均匀一致和薄的残留层。在整片晶圆的压印区域获得均匀一致和薄的残留层，对于实现高质量的图形转移起到决定性的作用。此外，不同与传统的硅基纳米压印工艺，采用NIL加工光子晶体LED芯片还面临以下的难题：(1)晶圆不平整，会有数微米尺寸的表面突起。几十微米的翘曲是衬底材料膨胀系数不一致的结果，比如碳化硅或蓝宝石与外延生长的半导体材料，如氮化镓，其生长温度高于900℃。这两层材料实际上像双层金属片一样，会形成类似薯片的翘曲结构。热应力也阻碍了使用更大尺寸的晶圆。表突起是外延生长的副产品，如果衬底和半导体材料的晶格不能完全匹配，就会产生突起；(2)晶圆面不是非常清洁，可能有污物；(3)在高亮LED生产中，为了节省MOCVD外延生长的成本，未来的发展趋势是使用大尺寸衬底，例如4寸或者6寸晶圆。然而外延生长会导致大尺寸基底的弯曲则越发的明显，在后续的光刻过程中强行利用真空吸附等方式补偿这种弯曲以换取光刻中的高分辨率有可能会造成衬底断裂；(4)目前大部分LED生产厂家的超净室都设计在1000级以上，如果使用普通纳米压印光刻技术，空气中的颗粒状污染物将大大降低压印结构的成品率并损坏模板，制造商将不得不为生产环境改造付出高额代价。对于光子晶体LED的图形化，因此，迫切需要开发一种新的整片晶圆纳米压印工艺，以实现8inch、12inch整片晶圆图形的复制，尤其是实现面向光子晶体LED大面积整片晶圆图形化。

发明内容