[发明专利]具氮化铝薄膜的热扩散元件及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201010600737.9 申请日: 2010-12-20
公开(公告)号: CN102479760A 公开(公告)日: 2012-05-30
发明(设计)人: 岑尚仁;林溥如;陈建亨 申请(专利权)人: 岑尚仁
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373;H01L21/48;H01L21/50
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 梁爱荣
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 氮化 薄膜 扩散 元件 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种具氮化铝薄膜的热扩散元件,其特征在于,包括:

一基板,其具有一上表面、及一下表面;以及

一氮化铝薄膜,其设于该基板的该上表面上,该氮化铝薄膜的厚度是介于1nm至10μm之间,且该氮化铝薄膜是作为热传输媒介。

2.如权利要求1所述的热扩散元件,其特征在于,还包括一散热鳍片,其设于该基板的该下表面上。

3.如权利要求1所述的热扩散元件,其特征在于,该基板为一硬质基板、一软质基板、一单质基板、一多层结构基板、或一复合材料基板。

4.如权利要求1所述的热扩散元件,其特征在于,该基板为一硅基板、一金属基板、一玻璃基板、一塑料基板、一陶瓷基板、一镀有金属膜的硅基板、一碳-碳复合材质基板、一镀有金属膜的碳-碳复合材质基板、或一具有多层膜结构的基板。

5.如权利要求4所述的热扩散元件,其特征在于,该金属膜的材料为铜、金、白金、钨、钛、铝、银、镍、或其合金。

6.如权利要求1所述的热扩散元件,其特征在于,该基板为一半导体芯片。

7.如权利要求1所述的热扩散元件,其特征在于,该基板为一具有线路的封装基板。

8.如权利要求1所述的热扩散元件,其特征在于,该基板为一平面基板、或一图案化基板。

9.如权利要求1所述的热扩散元件,其特征在于,该氮化铝薄膜是透过直流真空溅镀、脉冲式直流真空溅镀、磁控溅镀、射频溅镀系统、蒸镀法、化学气相沉积法、电浆辅助化学气相沉积法、感应耦合式电浆沉积法、微波电子回旋共振沉积法、或原子气相沉积法所形成。

10.一种具氮化铝薄膜的热扩散元件的制作方法,其特征在于,包括下列步骤:

(A)提供一基板,其具有一上表面、及一下表面;以及

(B)形成一氮化铝薄膜于该基板的该上表面上,其中该氮化铝薄膜的厚度是介于1nm至10μm之间,且该氮化铝薄膜是作为热传输媒介。

11.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于,在步骤(A)中,该基板的该下表面上是设置有一散热鳍片。

12.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于,在步骤(B)后还包括一步骤(C):贴付一散热鳍片于该基板的该下表面上。

13.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于,在步骤(B)中,该氮化铝薄膜是透过直流真空溅镀、脉冲式直流真空溅镀、磁控溅镀、射频溅镀系统、蒸镀法、或化学气相沉积法、电浆辅助化学气相沉积法、感应耦合式电浆沉积法、微波电子回旋共振沉积法、或原子气相沉积法所形成。

14.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于,该基板为一硬质基板、一软质基板、一单质基板、一多层结构基板、或一复合材料基板。

15.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于,该基板为一硅基板、一金属基板、一玻璃基板、一塑料基板、或一陶瓷基板、一镀有金属膜的硅基板、一碳-碳复合材质基板、一镀有金属膜的碳-碳复合材质基板、或具有多层膜结构的基板。

16.如权利要求15所述的制作方法,其特征在于,该金属膜的材料为铜、金、白金、钨、钛、铝、银、镍、或其合金。

17.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于,该基板为一半导体芯片。

18.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于,该基板为一具有线路的封装基板。

19.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于,该基板为一平面基板、或一图案化基板。

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