[发明专利]具氮化铝薄膜的热扩散元件及其制作方法无效
申请号: | 201010600737.9 | 申请日: | 2010-12-20 |
公开(公告)号: | CN102479760A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 岑尚仁;林溥如;陈建亨 | 申请(专利权)人: | 岑尚仁 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/373;H01L21/48;H01L21/50 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 梁爱荣 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化 薄膜 扩散 元件 及其 制作方法 | ||
1.一种具氮化铝薄膜的热扩散元件,其特征在于,包括:
一基板,其具有一上表面、及一下表面;以及
一氮化铝薄膜,其设于该基板的该上表面上,该氮化铝薄膜的厚度是介于1nm至10μm之间,且该氮化铝薄膜是作为热传输媒介。
2.如权利要求1所述的热扩散元件,其特征在于,还包括一散热鳍片,其设于该基板的该下表面上。
3.如权利要求1所述的热扩散元件,其特征在于,该基板为一硬质基板、一软质基板、一单质基板、一多层结构基板、或一复合材料基板。
4.如权利要求1所述的热扩散元件,其特征在于,该基板为一硅基板、一金属基板、一玻璃基板、一塑料基板、一陶瓷基板、一镀有金属膜的硅基板、一碳-碳复合材质基板、一镀有金属膜的碳-碳复合材质基板、或一具有多层膜结构的基板。
5.如权利要求4所述的热扩散元件,其特征在于,该金属膜的材料为铜、金、白金、钨、钛、铝、银、镍、或其合金。
6.如权利要求1所述的热扩散元件,其特征在于,该基板为一半导体芯片。
7.如权利要求1所述的热扩散元件,其特征在于,该基板为一具有线路的封装基板。
8.如权利要求1所述的热扩散元件,其特征在于,该基板为一平面基板、或一图案化基板。
9.如权利要求1所述的热扩散元件,其特征在于,该氮化铝薄膜是透过直流真空溅镀、脉冲式直流真空溅镀、磁控溅镀、射频溅镀系统、蒸镀法、化学气相沉积法、电浆辅助化学气相沉积法、感应耦合式电浆沉积法、微波电子回旋共振沉积法、或原子气相沉积法所形成。
10.一种具氮化铝薄膜的热扩散元件的制作方法,其特征在于,包括下列步骤:
(A)提供一基板,其具有一上表面、及一下表面;以及
(B)形成一氮化铝薄膜于该基板的该上表面上,其中该氮化铝薄膜的厚度是介于1nm至10μm之间,且该氮化铝薄膜是作为热传输媒介。
11.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于,在步骤(A)中,该基板的该下表面上是设置有一散热鳍片。
12.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于,在步骤(B)后还包括一步骤(C):贴付一散热鳍片于该基板的该下表面上。
13.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于,在步骤(B)中,该氮化铝薄膜是透过直流真空溅镀、脉冲式直流真空溅镀、磁控溅镀、射频溅镀系统、蒸镀法、或化学气相沉积法、电浆辅助化学气相沉积法、感应耦合式电浆沉积法、微波电子回旋共振沉积法、或原子气相沉积法所形成。
14.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于,该基板为一硬质基板、一软质基板、一单质基板、一多层结构基板、或一复合材料基板。
15.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于,该基板为一硅基板、一金属基板、一玻璃基板、一塑料基板、或一陶瓷基板、一镀有金属膜的硅基板、一碳-碳复合材质基板、一镀有金属膜的碳-碳复合材质基板、或具有多层膜结构的基板。
16.如权利要求15所述的制作方法,其特征在于,该金属膜的材料为铜、金、白金、钨、钛、铝、银、镍、或其合金。
17.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于,该基板为一半导体芯片。
18.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于,该基板为一具有线路的封装基板。
19.如权利要求10所述的制作方法,其特征在于,该基板为一平面基板、或一图案化基板。
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