[发明专利]一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统有效

专利信息
申请号: 201010600790.9 申请日: 2010-12-21
公开(公告)号: CN102148154A 公开(公告)日: 2011-08-10
发明(设计)人: 任春江;陈堂胜 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: H01L21/3205 分类号: H01L21/3205;B32B15/01
代理公司: 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 代理人: 沈根水
地址: 210016 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 复合 金属 阻挡 氮化 器件 多层 欧姆 接触 系统
【权利要求书】:

1.一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统,其特征是铝镓氮(AlGaN)/氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)源电极16和漏电极17所采用的欧姆接触系统为Ti/Al/Ni/Mo/Au。

2.根据权利要求1所述的一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统,其特征是从铝镓氮(AlGaN)层(13)和源电极(16)以及漏电极(17)的界面处开始依次由第一Ti金属层(20)、第一Al金属层(21)、第一Ni金属层(22)、第一Mo金属层(23)和第一Au金属层(24)组成,其中第一Ti金属层(20)的厚度在15nm-30nm,第一Al金属层(21)与第一Ti金属层(20)的比值在3-10,第一Ni金属层(22)的厚度在10nm-30nm,第一Mo金属层(23)的厚度在25nm-50nm,第一Au金属层(24)的厚度在20nm-50nm。

3.根据权利要求2的欧姆接触系统,其特征在于从铝镓氮(AlGaN)层(13)和源电极(16)以及漏电极(17)的界面处开始依次由第三Ti金属层(25)、第二Al金属层(26)、第Ni金属层(27)、第二Mo金属层(28)、第二Ti金属层(29)和第Au金属层(30)组成,其中第三Ti金属层(25)的厚度在15nm-30nm,第二Al金属层(26)与第三Ti金属层(25)的比值在3-10,第二Ni金属层(27)的厚度在10nm-30nm,第二Mo金属层(28)的厚度在25nm-50nm,第二Ti金属层(29)的厚度在10nm-30nm,第二Au金属层(30)的厚度在20nm-150nm。

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