[发明专利]一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统有效
| 申请号： | 201010600790.9 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102148154A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 任春江;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;B32B15/01 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 金属 阻挡 氮化 器件 多层 欧姆 接触 系统 | ||
1.一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统，其特征是铝镓氮(AlGaN)/氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)源电极16和漏电极17所采用的欧姆接触系统为Ti/Al/Ni/Mo/Au。
2.根据权利要求1所述的一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统，其特征是从铝镓氮(AlGaN)层(13)和源电极(16)以及漏电极(17)的界面处开始依次由第一Ti金属层(20)、第一Al金属层(21)、第一Ni金属层(22)、第一Mo金属层(23)和第一Au金属层(24)组成，其中第一Ti金属层(20)的厚度在15nm-30nm，第一Al金属层(21)与第一Ti金属层(20)的比值在3-10，第一Ni金属层(22)的厚度在10nm-30nm，第一Mo金属层(23)的厚度在25nm-50nm，第一Au金属层(24)的厚度在20nm-50nm。
3.根据权利要求2的欧姆接触系统，其特征在于从铝镓氮(AlGaN)层(13)和源电极(16)以及漏电极(17)的界面处开始依次由第三Ti金属层(25)、第二Al金属层(26)、第Ni金属层(27)、第二Mo金属层(28)、第二Ti金属层(29)和第Au金属层(30)组成，其中第三Ti金属层(25)的厚度在15nm-30nm，第二Al金属层(26)与第三Ti金属层(25)的比值在3-10，第二Ni金属层(27)的厚度在10nm-30nm，第二Mo金属层(28)的厚度在25nm-50nm，第二Ti金属层(29)的厚度在10nm-30nm，第二Au金属层(30)的厚度在20nm-150nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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