[发明专利]一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统有效
申请号: | 201010600790.9 | 申请日: | 2010-12-21 |
公开(公告)号: | CN102148154A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 任春江;陈堂胜 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;B32B15/01 |
代理公司: | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人: | 沈根水 |
地址: | 210016 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 复合 金属 阻挡 氮化 器件 多层 欧姆 接触 系统 | ||
1.一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统,其特征是铝镓氮(AlGaN)/氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)源电极16和漏电极17所采用的欧姆接触系统为Ti/Al/Ni/Mo/Au。
2.根据权利要求1所述的一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统,其特征是从铝镓氮(AlGaN)层(13)和源电极(16)以及漏电极(17)的界面处开始依次由第一Ti金属层(20)、第一Al金属层(21)、第一Ni金属层(22)、第一Mo金属层(23)和第一Au金属层(24)组成,其中第一Ti金属层(20)的厚度在15nm-30nm,第一Al金属层(21)与第一Ti金属层(20)的比值在3-10,第一Ni金属层(22)的厚度在10nm-30nm,第一Mo金属层(23)的厚度在25nm-50nm,第一Au金属层(24)的厚度在20nm-50nm。
3.根据权利要求2的欧姆接触系统,其特征在于从铝镓氮(AlGaN)层(13)和源电极(16)以及漏电极(17)的界面处开始依次由第三Ti金属层(25)、第二Al金属层(26)、第Ni金属层(27)、第二Mo金属层(28)、第二Ti金属层(29)和第Au金属层(30)组成,其中第三Ti金属层(25)的厚度在15nm-30nm,第二Al金属层(26)与第三Ti金属层(25)的比值在3-10,第二Ni金属层(27)的厚度在10nm-30nm,第二Mo金属层(28)的厚度在25nm-50nm,第二Ti金属层(29)的厚度在10nm-30nm,第二Au金属层(30)的厚度在20nm-150nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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