[发明专利]直拉法生长P型高寿命掺硼硅单晶的方法

权利要求书

1.一种直拉法生长P型高寿命掺硼硅单晶的方法包括装料、加热、拉晶，单晶炉设备主要包括加热器、导流筒、坩埚、托盘、炉底护盘和排气孔，其特征在于：充氩气至炉压2500Pa～3500Pa，引细径拉速为6～17mm/分钟，细径长度不小于170mm，直径≤4mm。

2.一种拉法生长P型(掺杂硼)高寿命硅单晶的方法，包括装料、化料、拉晶，其特征在于：

1)按常规方法将单晶炉清炉并抽真空无误后装料，充氩气至炉压2500Pa～3500Pa；

2)降坩埚至石英坩埚上沿低于加热器上沿时开始加热化料，化料功率为900-2500kw；

3)化料完毕，降温至液面有过冷度，待熔硅温度稳定后，降籽晶至高于液面120～150mm处预热30～40分钟；引细径，晶转1～8转/分钟，浸熔25～40分钟后提拉，拉速6～17mm/分钟，细径长度不小于170mm，直径≤4mm；

4)等径生长，控制炉室压力2500Pa～3500Pa，控制晶体的拉速、氩气流速、晶转和埚转，调坩埚位置保持导流筒下沿与液面之间的距离，按常规工艺调节、收尾和冷却。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于拉晶过程中利用单晶炉中导流筒的角度将炉内氩气流直吹晶锭外径与熔硅接触处，即结晶前沿外围。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：

步骤1)所述的充氩气是将氩气流速调至20～100L/h以达到炉压2500Pa～3500Pa。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：步骤2)所述的加热化料功率为1900-2500kw时坩埚转速为0.5转/分钟。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：步骤3)所述的化料完毕后，导流筒下沿与熔硅液面之间的距离调至不大于35mm。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：步骤4)所述的控制炉室压力在2500Pa～3500Pa是由控制氩气流量实现；所述的控制晶体拉速是在等径过程中控制拉速范围为0.9-1.1mm/min。

8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：步骤4)所述的控制氩气流速是在等径生长20mm处提升氩气至30-100L/h。

9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：步骤4)所述的控制晶转为5-14转/分钟。

10.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述的控制埚转为控制等径埚转为0.5-1转/分钟。