[发明专利]用反极性离子注入隔离衬底的集成功率管的LED驱动芯片无效
| 申请号： | 201010601172.6 | 申请日： | 2010-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102569157A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李煜文 | 申请（专利权）人： | 上海摩晶电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/761;H05B37/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200235 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 极性 离子 注入 隔离 衬底 集成 功率管 led 驱动 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED照明驱动电路的设计，采用离子注入，将控制电路和输出功率管的衬底部分隔离开来。
2.一种符合专利要求1的电路设计，其特征在于，其基本原理是：在控制电路和输出管之间，建立一个隔离区；在这个隔离区进行与原衬井阳极相反离子注入，并使其形成的井深度显著深于后者；并用更浓的注入接触此井，且在工作时予以反向偏置；这样两个衬井之间，就基本实现了隔离，反剩下深于隔离井部分的原始硅片的漏电，而此电阻通常较大。
3.一种符合专利要求1的电路设计，其特征在于，在基本实现中，所需要形成的隔离井可以用复杂工艺中满足深度和浓度要求的注入复用。
4.一种符合专利要求1的电路设计，其特征在于，在应用中为避免浪费芯片面积，可在隔离区放置焊盘或电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
