[发明专利]一种水氧敏感型稀土卤化物晶体的切割方法

权利要求书

1.一种水氧敏感型稀土卤化物晶体的切割方法，通过在晶体表面均匀涂抹防水保护层后进行线切割加工，线切割加工过程中需不断填充入切割泥浆。其特征在于：所述防水保护层为疏水性保护油脂或者聚酰亚胺；所述切割泥浆由切割磨料与保护性切割油混合而成。

2.根据权利要求1所述的一种水氧敏感型稀土卤化物晶体的切割方法，其特征在于所述水氧敏感型稀土卤化物晶体指的是在空气中极易潮解变质的稀土卤化物晶体，其化学式是Ln_1-xCe_xX₃，这里Ln＝La、Lu、Gd、Y；X＝Cl、Br、I，下标x指Ce的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的一种水氧敏感型稀土卤化物晶体的切割方法，其特征在于所述稀土卤化物晶体表面涂抹的疏水性保护油脂是凡士林，厚度为0.1～2mm。

4.根据权利要求1所述的一种水氧敏感型稀土卤化物晶体的切割方法，其特征在于所述稀土卤化物晶体表面包有的聚酰亚胺层厚度为0.1～1mm的。

5.根据权利要求1所述的一种水氧敏感型稀土卤化物晶体的切割方法，其特征在于所述切割磨料可以是SiC、Al2O3、CeO或其混合物，保护性切割油可以是硅油、煤油或其混合物。

6.根据权利要求1所述的一种水氧敏感型稀土卤化物晶体的切割方法，其特征在于所述稀土卤化物通过厌氧胶将固定在标准件上。