[发明专利]一种双栅的TFT基板及其制造方法无效
| 申请号： | 201010601389.7 | 申请日： | 2010-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102566166A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 薛海林;徐宇博;李成;张继栋 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tft 及其 制造 方法 | ||
1.一种双栅的TFT基板，包括：玻璃基板、横向的栅线、网状的Vcom线、纵向的数据线；其中，所述网状的Vcom线的每一行的各个Vcom线分别电连接，Vcom线通过Vcom线IC接头与IC元件电连接；其特征在于，
设数据线的条数为N，则所述Vcom线IC接头的个数大于0，且小于N+1；
相邻的两行Vcom线之间至少有一组相对应的Vcom线纵向电连接。
2.根据权利要求1所述的双栅的TFT基板，其特征在于，所述Vcom线IC接头的个数为N。
3.根据权利要求1所述的双栅的TFT基板，其特征在于，所述Vcom线IC接头的个数为1。
4.根据权利要求1-3任一所述的双栅的TFT基板，其特征在于，相邻的两行Vcom线之间，在纵方向上具有所述Vcom线IC接头的一组相对应的Vcom线纵向电连接。
5.一种双栅的TFT基板的制造方法，其特征在于，包括：
在玻璃基板上形成第一导电薄膜，通过构图工艺处理得到多条栅线和网状的Vcom线；其中，所述网状的Vcom线的每一行的各个Vcom线分别电连接；
在玻璃基板上形成第二导电薄膜，通过构图工艺处理得到多条数据线；
在玻璃基板上形成像素电极层，通过构图工艺处理得到多个像素电极、相邻两行Vcom线之间的电连接段、以及Vcom线IC接头；其中，设数据线的条数为N，则所述Vcom线IC接头的个数大于0，且小于N+1，相邻两行Vcom线之间的所述电连接段至少有一个。
6.根据权利要求5所述的双栅的TFT基板的制造方法，其特征在于，
通过构图工艺处理得到Vcom线IC接头为N个。
7.根据权利要求5所述的双栅的TFT基板的制造方法，其特征在于，
通过构图工艺处理得到Vcom线IC接头为1个。
8.根据权利要求5-7任一所述的双栅的TFT基板的制造方法，其特征在于，
通过构图工艺处理，在相邻的两行Vcom线之间，在纵方向上具有所述Vcom线IC接头的一组相对应的Vcom线用所述电连接段电连接。
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