[发明专利]顶层金属互连层结构和制作方法无效
| 申请号： | 201010601562.3 | 申请日： | 2010-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102543837A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李剑波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105;H01L23/522;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 顶层 金属 互连 结构 制作方法 | ||
1.一种顶层金属互连层的制作方法，该方法采用单大马士革技术，其特征在于，该方法包括：
在下层的金属互连层表面依次沉积第一刻蚀终止层、第一绝缘层、第二刻蚀终止层和第二绝缘层；
依次刻蚀第二绝缘层、第二刻蚀终止层、第一绝缘层和第一刻蚀终止层，至显露出下层的金属互连层形成顶层连接孔；在顶层连接孔内填充金属，经过化学机械研磨，顶层连接孔内的填充金属与第二绝缘层齐平；
依次沉积第三刻蚀终止层和第三绝缘层；
依次刻蚀第三绝缘层和第三刻蚀终止层至显露出顶层连接孔形成顶层沟槽；在顶层沟槽内填充金属，经过化学机械研磨，顶层沟槽内的填充金属与第三绝缘层齐平。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度为5000～6000埃。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度为500～1500埃。
4.一种顶层金属互连层结构，该结构包括：
在下层的金属互连层表面依次沉积的第一刻蚀终止层、第一绝缘层、第二刻蚀终止层和第二绝缘层；
依次刻蚀第二绝缘层、第二刻蚀终止层、第一绝缘层和第一刻蚀终止层，至显露出下层的金属互连层形成的顶层连接孔；所述顶层连接孔内填充有金属；
在所述第二绝缘层表面依次沉积的第三刻蚀终止层和第三绝缘层；
依次刻蚀第三绝缘层和第三刻蚀终止层至显露出顶层连接孔形成的顶层沟槽；所述顶层沟槽内填充有金属。
5.如权利要求4所述的结构，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度为5000～6000埃。
6.如权利要求5所述的结构，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度为500～1500埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
