[发明专利]提高多晶硅栅极与接触孔之间叠对均匀性的方法无效
| 申请号： | 201010601601.X | 申请日： | 2010-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102543740A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 武咏琴 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/68;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 多晶 栅极 接触 之间 均匀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高多晶硅栅极与接触孔之间叠对均匀性的方法，该方法包括：
A、通过位于多晶硅栅极层的对准标记和位于光罩上接触孔层的对准标记的对准，得到对准偏移图；
B、判断所述对准偏移图是收敛还是发散；当所述对准偏移图是发散的，对形成有多晶硅栅极的晶片进行退火处理。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对形成有多晶硅栅极的晶片进行退火处理后，该方法进一步包括：循环执行步骤A和B，直至得到的对准偏移图是收敛的。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火温度低于多晶硅栅极的沉积温度。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对准标记位于切割道内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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