[发明专利]一种SiC/Al复合材料表面的发黑处理方法无效
申请号: | 201010602127.2 | 申请日: | 2010-12-13 |
公开(公告)号: | CN102534627A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 郑弃非;赵月红;温军国 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院 |
主分类号: | C23F17/00 | 分类号: | C23F17/00;C25D11/06;C25D3/08 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 耿小强 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 sic al 复合材料 表面 发黑 处理 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种SiC/Al复合材料表面的发黑处理方法,属于金属表面处理技术领域。
背景技术
SiC/Al复合材料,除具有普通铝合金的优良性能之外,还具有超强的硬度和热尺寸稳定性,是航空航天仪器仪表等行业产品较为理想的材料,如仪器的底座平台等。在很多应用场合(用于卫星照相机系统的结构件等)需要对该材料表面进行发黑处理,控制其对光的反射程度。一般要求发黑处理后表面黒度不低于90%。
铝合金表面发黑可采用常规的在金属表面镀黑镍、黑铬等方法。直接在SiC/Al表面进行发黑等表面处理时,一方面由于铝表面易形成天然氧化膜,其电位很负,在镀液中常受浸蚀而置换出被镀金属,影响了镀层的结合力等性能,需采用特殊处理方法提高被镀金属与基体结合力等性能;另一方面由于SiC/Al铝表面存在不导电的SiC,这部分镀不上发黑金属,从而影响了整体表面黑度的进一步提高。
发明内容
本发明的目的在于获到一种能在SiC/Al表面得到良好质量的发黑处理方法。具体方法是先将复合材料进行常规的前处理,接着在其表面进行阳极氧化,在表面的铝基体部分形成具有一定厚度的氧化物层,氧化物层与原表面的SIC部分一起构成一个不导电表面,然后通过常规的金属化在整个表面形成导电层,再进行各种发黑处理。
为了实现上述目的,采取以下技术方案:
一种SiC/Al复合材料表面的发黑处理方法,采用以下的生产流程:
前处理——阳极氧化——表面金属化——发黑处理——成品。
一种优选的技术方案,其特征在于:所述的前处理为采用除油、碱蚀、出光方法或其它方法,获得干净的SiC/Al复合材料表面。
一种优选的技术方案,其特征在于:所述的阳极氧化为将前处理后的SiC/Al复合材料为阳极,铅板或铝板为阴极,在阳极氧化溶液中进行阳极氧化,得到SiC/Al复合材料表面氧化膜。
一种优选的技术方案,其特征在于:所述的阳极氧化溶液中含有:150~220g/L的硫酸,0~8g/L的草酸和0~6g/L的甘油或其它添加剂。
一种优选的技术方案,其特征在于:所述的阳极氧化的工艺条件为:电压12~28V,电流密度0.2~3.0A/dm2,温度0~30℃。持续时间视膜厚而定。
一种优选的技术方案,其特征在于:所述的表面金属化为采用敏化、活化、还原或化学镀等方法得到表面的导电层,发黑处理为采用镀黑镍、黑铬等电镀方法。
本发明的优点是:
(1)由于表面SIC部分也镀上发黑金属,整个表面黑度可提高,同时由于发黑镀层主要通过氧化物层与基体联接,得到镀层与复合材料基体的结合力大大提高,持久性能好。经过本发明方法处理的SiC/Al复合材料表面具有良好的表面质量,同时表面膜层黑度高,与基体附着紧密。
(2)本发明发黑质量优良,采用的化学品成本低,环保性好,工艺质量稳定。
具体实施方式
实施例1
1、工艺流程
含碳化硅15%的SiC/Al复合材料,采用下面的发黑处理工艺流程:
前处理——阳极氧化——表面金属化——发黑处理——成品。
2、具体工艺
上述工艺流程中的前处理采用常规的除油、碱蚀、出光方法获得干净的表面;
工艺流程中阳极氧化处理如下:
将前处理后大小为20mm×20mm×3mm的SiC/Al复合材料为阳极,铅板为阴极,在阳极氧化溶液中以一定工艺参数进行阳极氧化,得到SiC/Al表面氧化膜。阳极氧化溶液组成为:硫酸:150g/L,草酸:8g/L,甘油:6g/L。阳极氧化工艺参数为:电压12V,电流密度0.2A/dm2,温度30℃,时间:30min。
表面金属化采用常规的敏化、活化、还原、化学镀得到表面的导电层,发黑处理采用常规的镀黑镍电镀方法。
3、成膜效果
通过上述工艺流程所制表面膜为黑色,色泽均匀,表面光泽;采用划痕法测定膜层与基体结合效果,结合良好,采用光谱仪测试表面吸光率(黑度)。测试结果见表1。
实施例2
1、工艺流程
含碳化硅15%的SiC/Al复合材料,采用下面的发黑处理工艺流程:
前处理——阳极氧化——表面金属化——发黑处理——成品。
2、具体工艺
上述工艺流程中的前处理采用常规的除油、碱蚀、出光方法获得干净的表面;
工艺流程中阳极氧化处理如下:
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