[发明专利]镀膜件及其制备方法

权利要求书

1.一种镀膜件，其包括铝合金基体及形成于铝合金基体上的防腐蚀层，其特征在于：该防腐蚀层为一氮化铬硅的复合膜层。

2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述氮化铬硅的复合膜层中Cr的原子百分含量为35-40at.％，Si为20-40at.％，N为20-40at.％。

3.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述氮化铬硅的复合膜层中含有Si、Cr的纳米晶及N原子，该N原子嵌入在Si、Cr纳米晶的晶格之中，形成间隙型固溶体。

4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述防腐蚀层的厚度为200-500nm。

5.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述镀膜件还包括一设置于铝合金基体与防腐蚀层之间的过渡层，该过渡层为一金属铬层。

6.一种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤：

提供一铝合金基体；

采用真空溅镀法在该铝合金基体上溅镀防腐蚀层，该防腐蚀层为氮化铬硅的复合膜层；溅镀该防腐蚀层以铬硅复合靶为靶材，以氮气为反应气体。

7.如权利要求6所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：溅镀所述防腐蚀层采用中频磁控溅射镀膜法，铬硅复合靶的电源功率为5-7KW，氮气的流量为60-80sccm，以氩气为工作气体，氩气的流量为150-200sccm，对铝合金基体设置-150～-500V的偏压，溅镀温度为20-120℃，溅镀时间为20-40分钟。

8.如权利要求6所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括在溅镀防腐蚀层前于铝合金基体表面溅镀金属铬的过渡层的步骤。

9.如权利要求8所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括在溅镀过渡层前对铝合金基体进行超声波清洗及等离子清洗的步骤。