[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

第一半导体层；

在所述第一半导体层上的不平坦部分；

在所述不平坦部分上的包括多个团簇的第一非导电层；

在所述非导电层上的第一基板层；以及

在所述第一基板层上的发光结构层，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一基板层包括其与氮化物半导体的晶格常数差等于或者小于大约5％的材料。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述不平坦部分包括III-V族化合物半导体，并且所述第一非导电层包括从MgN、SiN、以及ZnN的组中选择的至少一个。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一非导电层和所述第一基板层的周期包括从2至20个周期。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一基板层包括SiC、SiN、SiCN、以及CN中的至少一个。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一基板层的第一部分被布置在所述第一非导电层上，并且第二部分接触到所述不平坦部分。

7.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第一非导电层和所述第一基板层的一个周期包括从大约1nm至大约100nm范围内的厚度。

8.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述第一基板层的厚度包括从大约5至大约500

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一基板层被形成在不平坦层中。

10.根据权利要求1所述的发光器件，包括：

所述第一基板层和所述发光结构层之间的第二非导电层；

在所述第二非导电层上的第二基板层；以及

在所述第一基板层和所述第二非导电层之间的第二半导体层。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述非导电层是由不连续的非导电层形成的。

12.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光结构层包括氮化物基半导体，并且包括N型半导体层、在所述N型半导体层上的有源层、以及在所述有源层上的P型半导体层。

13.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述第一半导体层和所述不平坦部分中的至少一个包括其掺杂浓度小于所述N型半导体层的未掺杂半导体层。

14.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一半导体层和所述不平坦部分是未掺杂氮化物半导体。

15.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述N型半导体层被布置在所述有源层和所述基板层之间，并且所述N型半导体层的位错密度小于所述第一半导体层的位错密度。