[发明专利]一种光刻胶组合物和一种LED表面制备荧光层的方法

权利要求书

1. 一种光刻胶组合物，其特征在于，所述光刻胶组合物中含有20-40wt%的树脂，20-30wt%的所述树脂对应的单体，1-16wt%的感光剂和24-50wt%的溶剂；所述树脂选自甲基丙烯酸树脂、有机硅改性丙烯酸酯树脂、环氧丙烯酸酯树脂、聚氨酯丙烯酸酯树脂、聚酯丙烯酸酯树脂、聚醚丙烯酸酯树脂、聚丙烯酸丙酯树脂中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述光刻胶组合物中，树脂的含量为30-40wt%，树脂对应的单体的含量为20-25wt%。

3.根据权利要求1或2所述的光刻胶组合物，其特征在于，感光剂为叠氮醌类化合物。

4.根据权利要求1或2所述的光刻胶组合物，其特征在于，溶剂选自乙酸丙二醇单甲基醚酯、环己酮、乳酸乙酯中的至少一种。

5.一种LED表面制备荧光层的方法，包括以下步骤：

1）将荧光粉与光刻胶组合物均匀混合后涂覆于LED芯片表面，在LED芯片表面形成荧光涂层；所述光刻胶组合物为权利要求1-4任一项所述的光刻胶组合物； 

2）对荧光涂层进行曝光显影，然后热处理，在LED芯片表面形成荧光粉层；

3）在荧光粉层表面涂覆增透剂，干燥形成增透膜。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括在LED芯片表面形成荧光涂层之前，在LED芯片表面涂覆增粘剂形成增粘层的步骤。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述增粘剂为硅烷类偶联剂。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，以100重量份的荧光粉为基准，光刻胶组合物的用量为200-1000重量份。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，对荧光涂层进行曝光显影的步骤包括将表面具有荧光涂层的LED芯片置于紫外光下辐射曝光，曝光剂量为100-500mj/cm²。

10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，热处理的条件包括：热处理温度为100-150℃，热处理时间为30-50min。

11.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，增透剂为硅烷树脂的异丙醇溶液，增透剂中硅烷树脂的含量为1-3wt%。

12.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，荧光粉层的厚度为10-100微米，增透膜的厚度为1-3微米。