[发明专利]一种各向同性全空间禁带光子晶体制作方法

权利要求书

1.一种各向同性全空间禁带全息光子晶体制作方法，其特征在于包括以下几个步骤：

(1)在记录介质上制作具有某个方向或某个空间方位上禁带结构的光子晶体；

(2)将所述制作的具有某个方向或某个空间方位上禁带结构的光子晶体做成微结构；

(3)将所述微结构进行随机取向的拼合和重叠，从而形成一个新的光子晶体结构，该新的光子晶体结构也即各向同性全空间禁带光子晶体。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(2)中的做成微结构是将制作的具有某个方向或某个空间方位上禁带结构的光子晶体进行破碎，形成众多的微小碎片。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于步骤(3)中的拼接和重叠采用的是粘结或挤压方式，并且在使得形成的新的光子晶体结构具有一定的厚度和面积，实现新的光子晶体结构上的每个点所包含的全部微结构的禁带能够覆盖全空间。

4.根据权利要求1-3中任一权利要求所述的方法，其特征在于：其中所述的记录介质是DCG或光刻胶。

5.一种各向同性全空间禁带全息光子晶体制作方法，其特征在于包括以下几个步骤：

(1)在记录介质上制作具有某个方向或某个空间方位上禁带结构的光子晶体；

(2)随机进行取向，在所述制作具有某个方向或某个空间方位上禁带结构的光子晶体的介质上再次进行光子晶体的制作，从而使得所述介质上记录有不同方向或不同空间方位上禁带结构的光子晶体；

(3)重复步骤(2)，直到所述介质上的每个点所包含的不同方向或不同空间方位上禁带结构的光子晶体已经覆盖了全空间。

6.根据权利要求5所述的方法，所述的记录介质为DCG或光刻胶。