[发明专利]半导体晶片的清洁和微蚀刻的方法

权利要求书

1.一种方法，所述方法包括：

a)提供半导体锭；

b)切割该半导体锭以形成一片或更多片的包括无机污染物和有机污染物的半导体晶片；以及

c)施加足量的包括一种或更多种的氢氧化季铵、一种或更多种的碱金属氢氧化物和一种或更多种的中等烷氧基化物的水性碱性溶液以去除该污染物和微刻蚀该半导体晶片。

2.根据权利要求1的方法，其中该一种或更多种的中等烷氧基化物是选自下述通式的化合物

R¹-O-[(CH₂CH(R²)-O)_x(CH₂CH₂O)_y]_z-H    (I)

其中x每次的出现是独立的，为0或从1至11的实数，只要在至少一次出现时x是大于0的；y每次的出现是独立的，为0或从1至20的实数，只要在至少一次出现时y是大于0的；z是从1至50的整数；R¹是C_6-10支链或直链的醇；以及R²每次的出现是独立的，且R²是-CH₃或-CH₂CH₃。

3.根据权利要求1的方法，其中该一种或更多种的中等烷氧基化物是选自下述通式的化合物

R¹-O-(CH₂CH(R²)-O)_x(CH₂CH₂O)_y-H    (II)

其中x为从1至11的实数；y为从1至20的实数；R¹是C_6-10支链或直链的醇；以及R²是-CH₃或-CH₂CH₃。

4.根据权利要求4的方法，其中氢氧化季铵与碱金属氢氧化物的重量比范围从2∶1至1∶2。

5.根据权利要求4的方法，其中氢氧化季铵与碱金属氢氧化物的重量比为1∶1。

6.根据权利要求1的方法，其中该水性碱性清洁和微刻蚀组合物进一步包括一种或更多种的螯合剂。

7.根据权利要求1的方法，其中该水性碱性清洁和微刻蚀组合物的pH是11或更高。

8.一种组合物，所述组合物包括一种或更多种的氢氧化季铵、一种或更多种的碱金属氢氧化物和一种或更多种的中等烷氧基化物，其量足以从半导体晶片上去除无机和有机的污染物且微刻蚀该晶片。

9.根据权利要求8的组合物，其中该中等烷氧基化物是选自下式通式的化合物

R¹-O-[(CH₂CH(R²)-O)_x(CH₂CH₂O)_y]_z-H    (I)

其中x每次的出现是独立的，为0或从1至11的实数，只要在至少一次出现时x是大于0的；y每次的出现是独立的，为0或从1至20的实数，只要在至少一次出现时y是大于0的；z是从1至50的整数；R¹是C_6-10支链或直链的醇；以及R²每次的出现是独立的，且R²是-CH₃或-CH₂CH₃。

10.根据权利要求8的组合物，其中该中等烷氧基化物是选自下式通式的化合物

R¹-O-(CH₂CH(R²)-O)_x(CH₂CH₂O)_y-H    (II)

其中x为从1至11的实数；y为从1至20的实数；R¹是C_6-10支链或直链的醇；以及R²是-CH₃或-CH₂CH₃。