[发明专利]主动元件及其制造方法

权利要求书

1.一种主动元件的制造方法，其特征在于，包括：

在一基板上形成一第一底电极以及一第二底电极；

形成一第一绝缘层，覆盖该第一底电极与该第二底电极；

在该第一底电极上方的该第一绝缘层上形成一第一通道层且于该第二底电极上方的该第一绝缘层上形成一第二通道层；

在该第一通道层及该第二通道层上形成一第二绝缘层，其中该第二绝缘层暴露出一部分的该第一通道层以及一部分的该第二通道层；

在该第一通道层上方形成一第一导电图案，该第一导电图案包括一第一电极、一第一顶电极以及一第二电极，其中该第一电极及该第二电极与暴露出的该第一通道层电性连接；以及

在该第二通道层上方形成一第二导电图案，该第二导电图案包括一第三电极、一第二顶电极以及一第四电极，其中该第三电极与该第四电极与暴露出的该第二通道层电性连接，且该第一电极与该第四电极电性连接。

2.根据权利要求1所述的主动元件的制造方法，其特征在于，更包括在该基板上形成一连接层，其中该第一电极与该连接层电性连接，且该第四电极与该连接层电性连接。

3.根据权利要求2所述的主动元件的制造方法，其特征在于，该连接层是与该第一底电极以及该第二底电极同时形成。

4.根据权利要求1所述的主动元件的制造方法，其特征在于，在该第一通道层上方形成该第一导电图案时更包括同时形成一第一欧姆接触层。

5.根据权利要求4所述的主动元件的制造方法，其特征在于，在该第一通道层上方同时形成该第一欧姆接触层以及该第一导电图案的方法包括：

依序形成一第一欧姆接触材料以及一第一导电材料，其特征在于，该第一欧姆接触材料与暴露出的该第一通道层电性连接；以及

同时图案化该第一导电材料以及该第一欧姆接触材料。

6.根据权利要求1所述的主动元件的制造方法，其特征在于，在该第二通道层上方形成该第二导电图案时更包括同时形成一第二欧姆接触层。

7.根据权利要求6所述的主动元件的制造方法，其特征在于，在该第二通道层上方同时形成该第二欧姆接触层以及该第二导电图案的方法包括：

依序形成一第二欧姆接触材料以及一第二导电材料，其特征在于，该第二欧姆接触材料与暴露出的该第二通道层电性连接；以及

同时图案化该第二导电材料以及该第二欧姆接触材料。

8.一种主动元件的制造方法，其特征在于，包括：

在一基板上形成一底电极；

形成一第一绝缘层，覆盖该底电极；

在该第一底电极上方的该第一绝缘层上形成一通道层；

在该通道层上形成一第二绝缘层，其中该第二绝缘层暴露出一部分的该通道层；以及

在该通道层上方形成一导电图案，该导电图案包括一第一电极、一顶电极以及一第二电极，其中该第一电极与该第二电极与暴露出的该通道层电性连接。

9.根据权利要求8所述的主动元件的制造方法，其特征在于，在该通道层上方形成该导电图案时更包括同时形成一欧姆接触层。

10.根据权利要求9所述的主动元件的制造方法，其特征在于，在该通道层上方同时形成该欧姆接触层以及该导电图案的方法包括：

依序形成一欧姆接触材料以及一导电材料，其中该欧姆接触材料与暴露出的该通道层电性连接；以及

同时图案化该导电材料以及该欧姆接触材料。

11.根据权利要求8所述的主动元件的制造方法，其特征在于，该欧姆接触层掺杂有N型掺质或是P型掺质。