[发明专利]单次可编程存储器的数据编程电路及方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种单次可编程(one-time-programmable，OTP)存储器，特别是有关于单次可编程存储器的数据编程方法。

背景技术

随着个人电子产品的快速发展，固态数据储存技术已变为日益重要。在可携式消费电子产品中，固态数据储存装置更朝向小型化、简单化及低成本的目标迈进。固态数据储存技术(例如可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电子可擦除可编程只读存储器(EEPROM)等)非常适合发展高速的应用装置，尤其是具有复杂与昂贵程序的高速应用装置。

然而，就许多消费性电子产品而言，相较于高速度，低成本的考量将更为重要。于是，具有较低制造成本，且即使电源下降但所储存的数据亦不会消失的永久性单次可编程存储器成为不可欠缺的元件。单次可编程存储器可广泛地使用在动态随机存取存储器(DRAM)或静态随机存储器(SRAM)的大容量的存储器中的备用(redundancy)部分、模拟电路的校正(calibrating)、码(例如密钥等)的储存、或是管理信息(例如制造过程的纪录)的储存等。此外，单次可编程存储器仅能进行一次数据编程。换言之，一旦对单次可编程存储器中的记忆单元(memory cell)完成编程动作之后，便无法对储存在记忆单元中的数据进行修正。

对单次可编程存储器而言，由于可在该存储器离开制造厂后才被写入数据，亦即可依照该存储器所配置的环境以及应用而由使用者写入数据，因此在使用上较其他存储器(例如掩模式只读存储器(Mask ROM))更为方便。

发明内容

本发明提供一种数据编程电路。该数据编程电路包括：一单次可编程存储器以及一控制单元。该单次可编程存储器用以储存对应于一第一版本的只读存储器码的一第一版本编码数据。该控制单元用以将一第二版本的只读存储器码储存至该单次可编程存储器，其中该控制单元根据该第一版本编码数据以及该第二版本的只读存储器码产生一匹配表，并从该匹配表中找出具有相同的数据内容的该第一版本编码数据的一第一数据片段以及该第二版本的只读存储器码的一第二数据片段。该控制单元将该第二数据片段编码为一特定地址并储存至该单次可编程存储器，以及该特定地址是指向该单次可编程存储器中该第一版本编码数据的该第一数据片段。

再者，本发明提供一种数据编程方法，适用于一单次可编程存储器，其中该单次可编程存储器储存对应于一第一版本的只读存储器码的一第一版本编码数据。该数据编程方法包括：从该单次可编程存储器读取出该第一版本编码数据，并将该第一版本编码数据还原成该第一版本的只读存储器码；根据该第一版本的只读存储器码，对一第二版本的只读存储器码进行编码；以及，将已编码的该第二版本的只读存储器码储存至该单次可编程存储器。对该第二版本的只读存储器码进行编码的步骤更包括：根据该第一版本的只读存储器码以及该第二版本的只读存储器码，产生一匹配表；从该匹配表中找出具有相同数据内容的该第一版本的只读存储器码的一第一数据片段以及该第二版本的只读存储器码的一第二数据片段；以及，将该第二数据片段的数据内容编码为一特定地址，其中该特定地址是指向该单次可编程存储器中该第一版本编码数据的该第一数据片段。

附图说明

为让本发明的该目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1显示根据本发明一实施例所述的数据编程电路；

图2显示根据本发明一实施例所述的单次可编程存储器所储存的数据布局的示意图；

图3显示根据本发明一实施例所述的使用图1的控制单元对欲更新的EEPROM版本进行编码的示意图；

图4A显示根据本发明一实施例所述的经由控制单元所编码的数据片段；

图4B显示根据本发明另一实施例所述的经由控制单元所编码的另一数据片段；

图5显示根据本发明一实施例所述的数据编程方法；

图6显示根据本发明另一实施例所述的数据编程方法；

图7显示第二版本的只读存储器码中从数据区块DB1至数据区块DBN之间不同路径的示意图；以及

图8显示根据本发明另一实施例所述的使用图1的控制单元对欲更新的EEPROM版本进行编码的示意图。

主要元件符号说明：

100～数据编程电路；

110～控制单元；

120、200～单次可编程存储器；

210～标头区段；

220、314、830、850、870～数据区段；