[发明专利]三氯氢硅合成装置

权利要求书

1.一种三氯氢硅合成装置，包括合成炉筒体(3)，合成炉筒体(3)外部有加热部件，其特征是：加热部件包括加热花板(8)和电阻丝(7)，加热花板(8)为圆环片状，加热花板(8)设置在合成炉筒体(3)的外表面，加热花板(8)的环形表面上轴向密布有通孔(15)，通孔(15)形成与加热花板内圆周同心的三圈同心圆通孔带，通孔(15)上固定有中空绝缘磁筒(9)，电阻丝(7)在每个绝缘瓷筒(9)中心穿过。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征是：加热花板(8)为厚度6mm～10mm的钢板，加热花板(8)的内圆周与外圆周为同心圆。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征是：合成炉筒体(3)的外表面套有1～5层相互平行且大小相同的加热花板(8)，加热花板(8)的内圆轴线与合成炉筒体(3)的轴线重合。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征是：加热花板(8)上有连接花板内外同心圆周的贯穿花板上下表面的梯形开口(13)。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征是：加热花板(8)上相邻的同心圆通孔带上的对应通孔(15)之间有贯穿花板的条形缺口(14)，最外层同心圆通孔带上的通孔(15)与加热花板(8)的外圆周之间也有贯穿花板的条形缺口(14)，条形缺口(14)径向与加热花板(8)半径的夹角为θ，θ为0°θ＜90°，优选夹角θ为加热花板的开口(13)向开口(13)轴对称点沿着花板两侧半圆周方向逐渐减小，更优选每两个沿着加热花板(8)圆周方向相邻的夹角θ的差值相同，进一步优选差值大于0°而且小于10°。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征是：电阻丝(7)在加热花板(8)的每条同心圆通孔带上串联。

7.根据权利要求1～6中任何一项所述的装置，其特征是：该装置还连接有接线箱(1)，接线箱内有熔断器(2)，熔断器内熔断体为RTO系列低压有填料封闭管式熔断体。

8.根据权利要求1～6中任何一项所述的装置，其特征是：加热部件的外部沿合成炉筒体(3)圆周方向有保温层(6)。

9.根据权利要求1～6中任何一项所述的装置，其特征是：加热部件的最外部还含有防护罩(5)，防护罩为两瓣结构用铰链链接成的一个圆筒，防护罩的钢板厚度为4mm～8mm。

10.根据权利要求1～6中任何一项所述的装置，其特征是：加热部件的上部和下部还含有两块圆环形支撑板(10)，支撑板为厚度8mm～12mm的钢板。