[发明专利]一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路

权利要求书

1.一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路，其特征在于，包含FPGA控制单元、行后级集成驱动单元、列后级集成驱动单元、静态数据存储单元和电源模块单元；FPGA控制单元通过单元控制信号访问静态数据存储单元；FPGA控制单元分别对行后级集成驱动单元和列后级集成驱动单元进行控制，行后级集成驱动单元按逐行扫描方式输出负高压脉冲给CNT-FED的阴极，静态数据存储单元中相应的图像数据被送到列后级集成驱动单元产生列驱动高压脉冲给CNT-FED的栅极。

2.根据权利要求1所述的一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路，其特征在于，所述的FPGA控制单元对行后级集成驱动单元的控制是通过串行数据输入端D_in、串行移位数据时钟数据锁存选通锁存数据输出端来实现的，所述行后级集成驱动单元信号线与FPGA控制单元之间由光电耦合器进行光电隔离和数据传输。

3.根据权利要求1所述的一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路，其特征在于，所述的行后级集成驱动单元由8片包含32通道P型沟道高压MOS芯片，型号为LZ1132BM级联完成，通过FPGA控制单元控制240行逐行扫描输出，FPGA控制单元控制信号线与LZ1132BM芯片之间通过光电耦合器进行光电隔离和数据传输。

4.根据权利要求3所述的一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路，其特征在于，所述的LZ1132BM芯片的级联是由第一块芯片的数据输出端D_out与同它邻近的第二块芯片的数据输入端D_in连接，第二块芯片的数据输出端D_out与同它邻近的第三块芯片的数据输入端D_in连接，以此类推第七块芯片的数据输出端D_out与第八块芯片的数据输入端D_in连接；串行移位数据时钟数据锁存选通锁存数据输出端都是所有行芯片共用。

5.根据权利要求1所述的一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路，其特征在于，所述的FPGA控制单元对列后级集成驱动单元的控制是通过串行数据输入端串行移位数据时钟CLK、数据锁存选通LS、锁存数据输出端STB来实现的，所述列后级集成驱动单元信号线与FPGA控制单元之间由光电耦合器进行光电隔离和数据传输。

6.根据权利要求1所述的一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路，其特征在于，所述的列后级集成驱动单元由10片包含32通道N型沟道高压MOS芯片，型号为LZ1132AM级联完成，通过FPGA控制单元控制LZ1032AM输出列数据，FPGA控制单元控制信号线与LZ1032AM芯片之间通过光电耦合器进行光电隔离和数据传输。

7.根据权利要求6所述的一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路，其特征在于，所述的LZ1032AM芯片的级联是由第一块芯片的数据输出端与同它邻近的第二块芯片的数据输入端连接，第二块芯片的数据输出端与同它邻近的第三块芯片的数据输入端连接，以此类推第九块芯片的数据输出端与第十块芯片的数据输入端连接；串行移位数据时钟CLK、数据锁存选通LS、锁存数据输出端STB都是所有列芯片共用。

8.根据权利要求1所述的一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路，其特征在于，所述的静态数据存储单元包含SPI总线结构的闪存芯片，型号为SST25VF040B，静态数据存储单元通过SPI总线与FPGA控制单元进行通讯。

9.根据权利要求1所述的一种三极结构碳纳米管场致发射显示器的集成驱动电路，其特征在于，所述电源模块为行后级集成驱动单元和列后级集成驱动单元提供所需电压，并提供+3200V的高压给CNT-FED的阳极，实现完整的静态图像显示。