[发明专利]应用于激光驱动器的温度补偿电路有效

专利信息
申请号: 201010603206.5 申请日: 2010-12-24
公开(公告)号: CN102064765A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 周华 申请(专利权)人: 烽火通信科技股份有限公司
主分类号: H03B5/04 分类号: H03B5/04
代理公司: 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 代理人: 魏殿绅;庞炳良
地址: 430074 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 应用于 激光 驱动器 温度 补偿 电路
【权利要求书】:

1.一种应用于激光驱动器的温度补偿电路,其特征在于:包括正温度系数电流产生模块(11)、零温度系数电流产生模块(12)和温度补偿比例控制模块(13),所述正温度系数电流产生模块(11)的输出端、零温度系数电流产生模块(12)的输出端均与温度补偿比例控制模块(13)的输入端连接;

所述正温度系数电流产生模块(11)用于:产生随温度升高而增大的正温度系数电流I1,以确定温度补偿的斜率;

所述零温度系数电流产生模块(12)用于:产生与温度无关的零温度系数电流I2,以确定温度补偿的起始温度;

所述温度补偿比例控制模块(13)用于:通过采样得到正温度系数电流I1和零温度系数电流I2的差值(I1-I2),将所述差值(I1-I2)与控制补偿电流I4大小的外部输入电流I3进行叠加,来确定补偿电流I4的大小,以控制温度补偿的比例。

2.如权利要求1所述的应用于激光驱动器的温度补偿电路,其特征在于:所述正温度系数电流产生模块(11)的实现电路包括:运算放大器A1、A2,NMOS管M1、M4,PMOS管M2、M3,电阻R1、R2,可变电阻R3和PNP晶体管Q1,其中,运算放大器A1的正极接输入电压V1,负极接NMOS管M1的源级,输出端接NMOS管M1的栅极,电阻R1一端接运算放大器A1的负极,另一端接晶体管Q1的发射极,晶体管Q1的基极和集电极相连并接地;PMOS管M2的漏极和NMOS管M1的漏极相连,PMOS管M2的栅极和漏极连接,PMOS管M2、M3共栅极,PMOS管M2、M3的源极均接电源VDD,PMOS管M3的漏极分别与运算放大器A2的正极、电阻R2的一端相连,电阻R2的另一端接地,运算放大器A2的输出端接NMOS管M4的栅极,运算放大器A2的负极分别与NMOS管M4的源级、可变电阻R3的一端连接,可变电阻R3的另一端接地。

3.如权利要求2所述的应用于激光驱动器的温度补偿电路,其特征在于:所述NMOS管M4的漏极为正温度系数电流产生模块(11)的输出端,输出所述正温度系数电流I1。

4.如权利要求2所述的应用于激光驱动器的温度补偿电路,其特征在于:所述零温度系数电流产生模块(12)的实现电路包括:运算放大器A3、NMOS管M0、PMOS管M5、M6和可变电阻R4,其中,运算放大器A3的正极接输入电压V1,负极接NMOS管M0的源级,输出端接NMOS管M0的栅极,可变电阻R4一端接运算放大器A3的负极,另一端接地,NMOS管M0的漏极和PMOS管M6的漏极连接,PMOS管M6的栅极和漏极连接,PMOS管M5、M6共栅极,PMOS管M5、M6的源级均接电源。

5.如权利要求4所述的应用于激光驱动器的温度补偿电路,其特征在于:所述PMOS管M5的漏极为零温度系数电流产生模块(12)的输出端,输出所述零温度系数电流I2。

6.如权利要求2或4要求所述的应用于激光驱动器的温度补偿电路,其特征在于,所述输入电压V1为与温度系数无关的带隙基准电压。

7.如权利要求4所述的应用于激光驱动器的温度补偿电路,其特征在于:所述温度补偿比例控制模块(13)的实现电路包括:PMOS管M7、M8和NMOS管M9、M10,其中,PMOS管M7、M8共栅极,PMOS管M7、M8的源极均接电源,PMOS管M7的栅极和漏极连接,PMOS管M8的漏极和NMOS管M9的漏极连接,NMOS管M9的漏极还连接外部输入电流I3,NMOS管M9的栅极和漏极连接,NMOS管M9、M10共栅极,NMOS管M9、M10的源极均接地。

8.如权利要求7所述的应用于激光驱动器的温度补偿电路,其特征在于:所述NMOS管M4的漏极分别于PMOS管M5、M7的漏极连接。

9.如权利要求7所述的应用于激光驱动器的温度补偿电路,其特征在于:所述NMOS管M10的漏极为所述温度补偿比例控制模块(13)的输出端,输出所述补偿电流I4。

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